SSD Samsung 850 EVO mSATA MZ-M5E250BW 250 ГБ
 |
 |
Закрити
Samsung MZ-M5E250BW | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||
TLC, QLC, MLC, SLC: який тип пам'яті накопичувачів краще?Важливі відмінності типів NAND-пам'яті TLC, QLC, MLC, SLC, які визначають сферу їх використання та перспективу розвитку
Як вибрати SSD накопичувач?Вибираємо SSD з необхідною швидкодією та високою надійністю для дому, роботи та геймінгу.
Інформація в описі моделі носить довідковий характер.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог Samsung 2024 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі Samsung.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог Samsung 2024 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі Samsung.
Серія Samsung EVO (високоефективні TLC)Порівняти в таблиці →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 4200 МБ/с, читання: 5000 МБ/с, гарантія 5 років
500 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3200 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 4200 МБ/с, читання: 5000 МБ/с, гарантія 5 років
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 2300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 520 МБ/с, читання: 550 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 1500 МБ/с, читання: 3400 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 2500 МБ/с, читання: 3400 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 2500 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
Рекомендуємо
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, 6500 МБ/с, IOPS 820 / 1000 тис, 7400 МБ/с, IOPS 1000 тис
1000 - 8000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6300 / 6600 МБ/с, IOPS 1100 / 1200 тис, 7200 / 7300 МБ/с, IOPS 800 / 1200 тис
120 - 1920 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 МБ/с, IOPS 40 тис, 450 МБ/с, IOPS 40 тис
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6000 / 6400 МБ/с, IOPS 700 тис, 7400 МБ/с, IOPS 900 / 1000 тис
500 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 3900 - 7000 МБ/с, IOPS 900 / 1000 тис, 7300 МБ/с, IOPS 450 - 1000 тис
