SSD Samsung 860 EVO mSATA MZ-M6E250BW 250 GB
 | Produkt jest niedostępny 439 zł Niewielki i wydajny model dysku SSD o pojemności 250 GB z interfejsem mSATA (miniSATA). Ma ultra-kompaktowy rozmiar i bezramkową konstrukcję, zaprojektowaną do przykręcenia do płyty głównej. Jest pozycjonowany jako produkt ze średniej półki cenowej, przeznaczony do użytku jako główne urządzenie pamięci masowej dla komputerów mobilnych. Instalowany w laptopach, netbookach, nettopach, odpowiedni dla niektórych modeli monobloków. Może być używany do wyposażania mobilnych stacji roboczych klasy podstawowej / średniej, wymagających czasu dostępu i szybkości operacji dyskowych. Pozwala przyspieszyć uruchamianie systemu operacyjnego i aplikacji o 3-5 razy. Podstawą sprzętową dysku Samsung 860 EVO mSATA MZ-M6E250BW jest połączenie wysokowydajnego kontrolera Samsung MJX wyposażonego w bufor 512 MB...DRAM oraz autorskiej 64-warstwowej pamięci flash 3D MLC V-NAND, która wyróżnia się doskonałą niezawodnością i wytrzymałością. Taka konfiguracja gwarantuje doskonałą wydajność jako dysk systemowy i inne typowe scenariusze użytkowania. Obsługiwany przez sprzętowe 256-bitowe szyfrowanie AES, dysk jest zgodny ze standardami TCG Opal / IEEE 1667, co jest ważne dla niezawodnej ochrony informacji w biznesie. Imponujący deklarowany zasób nagrań o pojemności 150 TB pozwala na zapis ponad 40 GB danych dziennie przez 10 lat. |
 |
Zamknij
Samsung MZ-M6E250BW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Niewielki i wydajny model dysku SSD o pojemności 250 GB z interfejsem mSATA (miniSATA). Ma ultra-kompaktowy rozmiar i bezramkową konstrukcję, zaprojektowaną do przykręcenia do płyty głównej. Jest pozycjonowany jako produkt ze średniej półki cenowej, przeznaczony do użytku jako główne urządzenie pamięci masowej dla komputerów mobilnych. Instalowany w laptopach, netbookach, nettopach, odpowiedni dla niektórych modeli monobloków.
Może być używany do wyposażania mobilnych stacji roboczych klasy podstawowej / średniej, wymagających czasu dostępu i szybkości operacji dyskowych. Pozwala przyspieszyć uruchamianie systemu operacyjnego i aplikacji o 3-5 razy. Podstawą sprzętową dysku Samsung 860 EVO mSATA MZ-M6E250BW jest połączenie wysokowydajnego kontrolera Samsung MJX wyposażonego w bufor 512 MB DRAM oraz autorskiej 64-warstwowej pamięci flash 3D MLC V-NAND, która wyróżnia się doskonałą niezawodnością i wytrzymałością.
Taka konfiguracja gwarantuje doskonałą wydajność jako dysk systemowy i inne typowe scenariusze użytkowania. Obsługiwany przez sprzętowe 256-bitowe szyfrowanie AES, dysk jest zgodny ze standardami TCG Opal / IEEE 1667, co jest ważne dla niezawodnej ochrony informacji w biznesie. Imponujący deklarowany zasób nagrań o pojemności 150 TB pozwala na zapis ponad 40 GB danych dziennie przez 10 lat.
Informacje zawarte w opisie modelu służą wyłącznie do celów informacyjnych.
Przed zakupem zawsze zapytaj doradcę sklepu internetowego o specyfikację i skład zestawu produktu
Katalog Samsung 2024 - nowości, hity sprzedaży i najbardziej aktualne modele Samsung.
Przed zakupem zawsze zapytaj doradcę sklepu internetowego o specyfikację i skład zestawu produktu
Katalog Samsung 2024 - nowości, hity sprzedaży i najbardziej aktualne modele Samsung.
TLC, QLC, MLC, SLC: który rodzaj pamięci jest lepszy?Istotne różnice pomiędzy rodzajami pamięci NAND TLC, QLC, MLC, SLC, które determinują zakres ich zastosowania i perspektywy rozwoju
Jak wybrać dysk SSD?Wybieramy szybki i niezawodny dysk SSD do domu, pracy i gier
Seria Samsung EVO (wysoka wydajność TLC)Porównaj w tabeli →
1000 GB, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, zapis: 3300 MB/s, odczyt: 3500 MB/s, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
1000 GB, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, zapis: 4200 MB/s, odczyt: 5000 MB/s, gwarancja 5 lat
500 GB, 2.5", 3D TLC NAND, zapis: 530 MB/s, odczyt: 560 MB/s, SATA 3, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
1000 GB, 2.5", 3D TLC NAND, zapis: 530 MB/s, odczyt: 560 MB/s, SATA 3, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
2000 GB, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, zapis: 3300 MB/s, odczyt: 3500 MB/s, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
2000 GB, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, zapis: 4200 MB/s, odczyt: 5000 MB/s, gwarancja 5 lat
500 GB, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, zapis: 3200 MB/s, odczyt: 3500 MB/s, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
500 GB, 2.5", 3D TLC NAND, zapis: 530 MB/s, odczyt: 560 MB/s, SATA 3, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
1000 GB, 2.5", 3D TLC NAND, zapis: 530 MB/s, odczyt: 560 MB/s, SATA 3, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
1000 GB, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, zapis: 6300 MB/s, odczyt: 7150 MB/s, gwarancja 5 lat
250 GB, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, zapis: 2300 MB/s, odczyt: 3500 MB/s, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
2000 GB, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, zapis: 6300 MB/s, odczyt: 7250 MB/s, gwarancja 5 lat
4000 GB, 2.5", 3D TLC NAND, zapis: 530 MB/s, odczyt: 560 MB/s, SATA 3, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
2000 GB, 2.5", 3D TLC NAND, zapis: 530 MB/s, odczyt: 560 MB/s, SATA 3, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
4000 GB, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, zapis: 6300 MB/s, odczyt: 7250 MB/s, gwarancja 5 lat
250 GB, 2.5", 3D TLC NAND, zapis: 530 MB/s, odczyt: 560 MB/s, SATA 3, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
4000 GB, 2.5", 3D TLC NAND, zapis: 530 MB/s, odczyt: 560 MB/s, SATA 3, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
2000 GB, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, zapis: 2500 MB/s, odczyt: 3500 MB/s, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
2000 GB, 2.5", 3D TLC NAND, zapis: 520 MB/s, odczyt: 550 MB/s, SATA 3, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
250 GB, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, zapis: 1500 MB/s, odczyt: 3400 MB/s, bufor DRAM, gwarancja 5 lat
Polecamy
1000 - 4000 GB, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, 6500 MB/s, IOPS 820 / 1000 tys., 7400 MB/s, IOPS 1000 tys.
1000 - 8000 GB, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6300 / 6600 MB/s, IOPS 1100 / 1200 tys., 7200 / 7300 MB/s, IOPS 800 / 1200 tys.
128 - 4000 GB, 2.5", 3D TLC NAND, 380 - 520 MB/s, IOPS 70 - 89 tys., 530 / 560 MB/s, IOPS 35 - 90 tys.
120 - 1920 GB, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 MB/s, IOPS 40 tys., 450 MB/s, IOPS 40 tys.
500 - 2000 GB, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, 2400 / 2700 MB/s, IOPS 500 / 540 tys., 3500 MB/s, IOPS 220 - 380 tys.
1000 - 4000 GB, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6000 / 6400 MB/s, IOPS 700 tys., 7400 MB/s, IOPS 900 / 1000 tys.
500 - 4000 GB, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 3900 - 7000 MB/s, IOPS 900 / 1000 tys., 7300 MB/s, IOPS 450 - 1000 tys.
