SSD Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E1T0BW 1 ТБ
 |
 |
Закрити
Samsung MZ-V9E1T0BW 1 ТБ2 ТБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Працює у режимах PCI-E 4.0 x4 або PCI-E 5.0 2x.
Інформація в описі моделі носить довідковий характер.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог Samsung 2025 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі Samsung.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог Samsung 2025 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі Samsung.
TLC, QLC, MLC, SLC: який тип пам'яті накопичувачів краще?Важливі відмінності типів NAND-пам'яті TLC, QLC, MLC, SLC, які визначають сферу їх використання та перспективу розвитку
Як вибрати SSD накопичувач?Вибираємо SSD з необхідною швидкодією та високою надійністю для дому, роботи та геймінгу.
Купити Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E1T0BW 1 ТБ
Усі ціни 19 →Коли ви робите покупку за посиланнями на нашому сайті, ми можемо отримувати партнерську комісію.
Dysk SAMSUNG 990 EVO 1TB SSD MZ-V9E1T0BW | 447 zł |  | |||
Samsung 990 EVO SSD - 1TB - PCIe 5.0 - M.2 2280 | 369 zł |  | |||
| 401 zł |  | ||||
| 350 zł |  | ||||
Samsung 990 Evo 1tb Ssd Czarny MZ-V9E1T0BW | 415 zł |  | |||
ще 14 пропозицій
Серія Samsung EVO (високоефективні TLC)Порівняти в таблиці →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 4200 МБ/с, читання: 5000 МБ/с, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 4200 МБ/с, читання: 5000 МБ/с, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 6300 МБ/с, читання: 7250 МБ/с, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 6300 МБ/с, читання: 7150 МБ/с, гарантія 5 років
500 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3200 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 2300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 6300 МБ/с, читання: 7250 МБ/с, гарантія 5 років
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 520 МБ/с, читання: 550 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 2500 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 1500 МБ/с, читання: 3400 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
Модификації Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E1T0BW
| Ціни на Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E1T0BW | ||||
|---|---|---|---|---|
| Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E1T0BW 1 ТБ | від 348 zł | 20 пропозицій | |
| Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E2T0BW 2 ТБ | від 622 zł | 11 пропозицій | |
Відеоогляди
РекомендуємоПорівняти в таблиці →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 2100 МБ/с, читання: 2500 МБ/с, гарантія 5 років
1024 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6600 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 5500 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6000 МБ/с, читання: 7300 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 4600 МБ/с, читання: 5000 МБ/с, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6400 МБ/с, читання: 7300 МБ/с, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6500 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3000 МБ/с, читання: 3400 МБ/с, гарантія 3 роки
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 1400 МБ/с, читання: 2100 МБ/с, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3000 МБ/с, читання: 3400 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
