SSD Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0BW 2 ТБ
 |
 |
Закрити
Samsung MZ-V9S2T0BW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Здатність працювати у режимах PCI-E 4.0 4x або PCI-E 5.0 2x. Мікросхеми V-NAND 8-го покоління з трьома бітами на комірку (TLC) та 5-нм контролер без зовнішнього буфера DRAM.
TLC, QLC, MLC, SLC: який тип пам'яті накопичувачів краще?Важливі відмінності типів NAND-пам'яті TLC, QLC, MLC, SLC, які визначають сферу їх використання та перспективу розвитку
Як вибрати SSD накопичувач?Вибираємо SSD з необхідною швидкодією та високою надійністю для дому, роботи та геймінгу.
Інформація в описі моделі носить довідковий характер.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Серія Samsung EVO (високоефективні TLC)Порівняти в таблиці →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 4200 МБ/с, читання: 5000 МБ/с, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
500 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3200 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 4200 МБ/с, читання: 5000 МБ/с, гарантія 5 років
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 2300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 6300 МБ/с, читання: 7150 МБ/с, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 6300 МБ/с, читання: 7250 МБ/с, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 520 МБ/с, читання: 550 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 2500 МБ/с, читання: 3400 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 6300 МБ/с, читання: 7250 МБ/с, гарантія 5 років
Відеоогляди
New New Favorite M.2 SSD - Samsung 990 EVO PLUS - with External Enclosure Speed Test on Mac
23 жовтня 20246 561 перегляд
Samsung 990 EVO PLUS SSD Review - A Gen 4.5 SSD?
15 жовтня7 643 перегляда
Як вибрати SSD-накопичувач
Модификації Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0BW
| Ціни на Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0BW | ||||
|---|---|---|---|---|
| Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW 1 ТБ | від 380 zł | 3 пропозиції | |
| Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0BW 2 ТБ | від 610 zł | 2 пропозиції | |
| Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S4T0BW 4 ТБ | від 1 296 zł | 2 пропозиції | |
РекомендуємоПорівняти в таблиці →
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6500 МБ/с, читання: 7400 МБ/с, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, SATA 3, 3D TLC NAND, запис: 450 МБ/с, читання: 522 МБ/с, гарантія 3 роки
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 1400 МБ/с, читання: 2100 МБ/с, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, SATA 3, 3D TLC NAND, запис: 500 МБ/с, читання: 560 МБ/с, гарантія 3 роки
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 4800 МБ/с, читання: 5000 МБ/с, гарантія 5 років
2048 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 7000 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3000 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 4400 МБ/с, читання: 5000 МБ/с, гарантія 3 роки
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3000 МБ/с, читання: 3400 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6400 МБ/с, читання: 7400 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 4850 МБ/с, читання: 5150 МБ/с, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 1700 МБ/с, читання: 2100 МБ/с, гарантія 3 роки
