SSD Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0 4 ТБ
 |
 |
Закрити
Samsung MZ-VAP4T0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Інформація в описі моделі носить довідковий характер.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
TLC, QLC, MLC, SLC: який тип пам'яті накопичувачів краще?Важливі відмінності типів NAND-пам'яті TLC, QLC, MLC, SLC, які визначають сферу їх використання та перспективу розвитку
Як вибрати SSD накопичувач?Вибираємо SSD з необхідною швидкодією та високою надійністю для дому, роботи та геймінгу.
Серія Samsung PRO (топові/пам'ять TLC)Порівняти в таблиці →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 5000 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 5100 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 5000 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 5100 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 13300 МБ/с, читання: 14700 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 13400 МБ/с, читання: 14700 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 13400 МБ/с, читання: 14800 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
Модификації Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0
| Ціни на Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0 | ||||
|---|---|---|---|---|
| Samsung 9100 PRO MZ-VAP1T0 1 ТБ | від 945 zł | 1 пропозиція | |
| Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 2 ТБ | від 1 358 zł | 1 пропозиція | |
| Samsung 9100 PRO MZ-VAP4T0 4 ТБ | від 2 436 zł | 1 пропозиція | |
| Samsung 9100 PRO MZ-VAP8T0 8 ТБ | від 2 436 zł | 1 пропозиція | |
Відеоогляди
FAST PCIE5 At Last - Samsung 9100 PRO NVME Review
18 березня5 869 переглядів
Samsung's First Proper Gen5 Drive! - 9100 PRO NVMe SSD Review
18 березня20 955 переглядів
Samsung 9100 Pro - Overview and Installation Guide
18 березня1 676 переглядів
Samsung 9100 Pro Gen5 SSD Review
18 березня9 456 переглядів
Samsung 9100 Pro SSD Revealed - A Gen 5x4 Samsung SSD FINALLY!
27 лютого 202512 058 переглядів
A Drive from the Future: Samsung 9100 Pro PCIE Gen5x4 NVME SSD Review
18 березня747 переглядів
Як вибрати SSD-накопичувач
РекомендуємоПорівняти в таблиці →
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3900 МБ/с, читання: 5600 МБ/с, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 11000 МБ/с, читання: 12000 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 12000 МБ/с, читання: 14000 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 12600 МБ/с, читання: 14100 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 11800 МБ/с, читання: 12400 МБ/с, гарантія 5 років
1000 - 8000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6300 / 6600 МБ/с, IOPS 1100 / 1200 тис, 7200 / 7300 МБ/с, IOPS 800 / 1200 тис
128 - 4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, 380 - 520 МБ/с, IOPS 70 - 89 тис, 530 / 560 МБ/с, IOPS 35 - 90 тис
120 - 1920 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 МБ/с, IOPS 40 тис, 450 МБ/с, IOPS 40 тис
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, 6300 МБ/с, IOPS 1350 / 1400 тис, 7150 / 7250 МБ/с, IOPS 850 - 1050 тис
