SSD Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0CW 4 ТБ з радіатором
 |
 |
Закрити
Samsung MZ-V9P4T0CW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Інформація в описі моделі носить довідковий характер.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог Samsung 2025 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі Samsung.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог Samsung 2025 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі Samsung.
TLC, QLC, MLC, SLC: який тип пам'яті накопичувачів краще?Важливі відмінності типів NAND-пам'яті TLC, QLC, MLC, SLC, які визначають сферу їх використання та перспективу розвитку
Як вибрати SSD накопичувач?Вибираємо SSD з необхідною швидкодією та високою надійністю для дому, роботи та геймінгу.
Купити Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0CW 4 ТБ з радіатором
Усі ціни 19 →Коли ви робите покупку за посиланнями на нашому сайті, ми можемо отримувати партнерську комісію.
Dysk SAMSUNG 990 Pro 4TB SSD (z radiatorem) | 1 451 zł |  | |||
Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Z radiatorami - M.2 2280 - PCIe 4.0 | 1 312 zł |  | |||
Samsung Samsung Dysk 990 PRO Heatsink PCIe 4.0 NVMe™ M.2 SSD 4TB MZ-V9P4T0CW | 1 299 zł |  | |||
Samsung Dysk SSD 990PRO Heatsink NVMe 4TB MZ-V9P4T0CW | 1 654 zł |  | |||
| 1 685 zł |  | ||||
ще 14 пропозицій
Серія Samsung PRO (топові/пам'ять TLC)Порівняти в таблиці →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 13300 МБ/с, читання: 14700 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 13400 МБ/с, читання: 14800 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 13400 МБ/с, читання: 14700 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 5100 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 13400 МБ/с, читання: 14800 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 5000 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 13400 МБ/с, читання: 14700 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 13300 МБ/с, читання: 14700 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 5000 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
Чудовий диск за сукупністю параметрів. Рекомендується використовувати радіатор, щоб уникнути перегріву. Висока швидкість та надійність, DRAM кеш Нагрів при інтенсивній роботі  vlursu: користуюся Samsung MZ-V9P2T0BW менше місяця |
Додати відгук
Модификації Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0CW
| Ціни на Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0CW | ||||
|---|---|---|---|---|
 | Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW 1 ТБ без радіатора | від 429 zł | 14 пропозицій | |
 | Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0GW 1 ТБ з радіатором | від 478 zł | 29 пропозицій | |
| Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0GW 2 ТБ | від 780 zł | 11 пропозицій | |
 | Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW 2 ТБ без радіатора | від 667 zł | 15 пропозицій | |
| Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0CW 2 ТБ з радіатором | від 747 zł | 29 пропозицій | |
 | Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW 4 ТБ без радіатора | від 1 249 zł | 10 пропозицій | |
| Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0CW 4 ТБ з радіатором | від 1 299 zł | 19 пропозицій | |
Відеоогляди
NOWY KRÓL SSD! | Test, recenzja Samsung 990 PRO ft. 980 PRO
12 листопада 202235 142 перегляда
Samsung 990 Pro vs Samsung 980 Pro SSD Comparison - Worth upgrading?
18 жовтня 2022328 429 переглядів
Samsung 990 PRO NVMe SSD Review - Versus 22 Other Drives
18 жовтня 2022290 965 переглядів
Samsung 990 Pro 4TB NVMe SSD Review
26 вересня 2023117 346 переглядів
Samsung 990 Pro NVME SSD Review: Speedy & Reliable
23 грудня 202415 206 переглядів
Відеорозпакування - SSD накопичувач SAMSUNG M.2 1TB PCIe 4.0 990pro + радіатор (MZ-V9P1T0CW)
12 лютого209 переглядів
Dysk szybki jak światło czyli test dysku Samsung 990 PRO
8 березня 20231 191 перегляд
Samsung's 990 Pro NVME is DESTROYING Itself?
24 січня 2023116 363 перегляда
SSD 990 PRO: Winner takes all | Samsung
24 серпня 202251 145 переглядів
Samsung 990 Pro SSD Firmware Issue UPDATED – Official Responses, Warranty & Replacements & Reactions
15 лютого 202338 315 переглядів
Samsung 990 Pro & 980 Pro - Comparison and Benchmarks!
27 жовтня 202224 513 переглядів
Top of its class: Samsung 990 Pro SSD 2 Tb M.2 NVMe Drive
15 листопада 202220 695 переглядів
SAMSUNG 990 PRO SSD UPDATE - 15 MILLION PLEX USER DATA HACKED - SANDISK 22TB - GIGABYTE 10000 AORUS
27 серпня 20224 540 переглядів
Samsung 990 Pro Review [PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD]
9 лютого 20233 799 переглядів
Як вибрати SSD-накопичувач
РекомендуємоПорівняти в таблиці →
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 7000 МБ/с, читання: 7400 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 7000 МБ/с, читання: 7300 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6700 МБ/с, читання: 7500 МБ/с, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6850 МБ/с, читання: 7500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6600 МБ/с, читання: 7300 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6850 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6800 МБ/с, читання: 7300 МБ/с, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6900 МБ/с, читання: 7450 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6600 МБ/с, читання: 7400 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6850 МБ/с, читання: 7000 МБ/с, гарантія 5 років
4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 6700 МБ/с, читання: 7500 МБ/с, гарантія 5 років