SSD Samsung 860 QVO MZ-76Q1T0BW 1 TB
Produkt jest niedostępny 510 zł Młodszy model wysokowydajnego dysku SSD z serii Samsung 860 QVO SATA, w skład którego wchodzą produkty o pojemności 1 TB, 2 TB oraz 4 TB oparte na wielowarstwowej pamięci QLC. Technologia ta pozwala na przechowywanie do 4 bitów informacji na komórkę, czyli o 33% więcej niż w przypadku pamięci typu TLC. Większe opóźnienia i potencjalnie szybsze zużycie komórek są w pełni kompensowane przez zastrzeżoną technologię Intelligent TurboWrite, która jest implementowana przy użyciu zaawansowanego kontrolera Samsung MJX. Aby przyspieszyć pracę z danymi o małych blokach, istnieje pamięć podręczna DRAM, która składa się z 1 GB pamięci LPDDR4. Oprócz dynamicznego buforowania SLC (6 GB statycznej pamięci podręcznej i do 36 GB dynamicznej), co znacznie przyspiesza proces zapisu, obsługiwane są technologi...e równoważenia zużycia, zaawansowana sprzętowa korekcja błędów, elastyczne sterowanie energią, NCQ, SMART i oczywiście TRIM. Samsung SSD 860 QVO wykazuje doskonałą wydajność wejścia/wyjścia operacji blokowych (96K/86K IOPS), imponującą prędkość odczytu/zapisu (550/520 MB/s) i niskie opóźnienia dostępu do danych. Za przechowywanie danych użytkownika odpowiada autorska 64-warstwowa 1-Tbitowa pamięć 3D QLC V-NAND. Dysk w pełni odpowiada rozmiarowi obudowy 2,5 cala i może być używany do tworzenia nowych lub modernizacji istniejących systemów stacjonarnych/mobilnych przeznaczonych do różnych celów. |
Samsung MZ-76Q1T0BW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Młodszy model wysokowydajnego dysku SSD z serii Samsung 860 QVO SATA, w skład którego wchodzą produkty o pojemności 1 TB, 2 TB oraz 4 TB oparte na wielowarstwowej pamięci QLC. Technologia ta pozwala na przechowywanie do 4 bitów informacji na komórkę, czyli o 33% więcej niż w przypadku pamięci typu TLC. Większe opóźnienia i potencjalnie szybsze zużycie komórek są w pełni kompensowane przez zastrzeżoną technologię Intelligent TurboWrite, która jest implementowana przy użyciu zaawansowanego kontrolera Samsung MJX.
Aby przyspieszyć pracę z danymi o małych blokach, istnieje pamięć podręczna DRAM, która składa się z 1 GB pamięci LPDDR4. Oprócz dynamicznego buforowania SLC (6 GB statycznej pamięci podręcznej i do 36 GB dynamicznej), co znacznie przyspiesza proces zapisu, obsługiwane są technologie równoważenia zużycia, zaawansowana sprzętowa korekcja błędów, elastyczne sterowanie energią, NCQ, SMART i oczywiście TRIM.
Samsung SSD 860 QVO wykazuje doskonałą wydajność wejścia/wyjścia operacji blokowych (96K/86K IOPS), imponującą prędkość odczytu/zapisu (550/520 MB/s) i niskie opóźnienia dostępu do danych. Za przechowywanie danych użytkownika odpowiada autorska 64-warstwowa 1-Tbitowa pamięć 3D QLC V-NAND. Dysk w pełni odpowiada rozmiarowi obudowy 2,5 cala i może być używany do tworzenia nowych lub modernizacji istniejących systemów stacjonarnych/mobilnych przeznaczonych do różnych celów.
Przed zakupem zawsze zapytaj doradcę sklepu internetowego o specyfikację i skład zestawu produktu
Katalog Samsung 2024 - nowości, hity sprzedaży i najbardziej aktualne modele Samsung.