SSD Samsung 850 EVO M.2 MZ-N5E120BW 120 ГБ
 | Товар застарів 360 zł Тип: внутрішній; Об'єм (ГБ): 120; Форм-фактор: M.2; Інтерфейс M.2: SATA 3; Контролер: Samsung MGX; Зовнішня швидкість запису (МБ/с): 500; Зовнішня швидкість зчитування (МБ/с): 540; DWPD (разів/день): 0.4; Гарантія виробника: 5 років; TRIM; |
 |
Закрити
Samsung MZ-N5E120BW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLC, QLC, MLC, SLC: який тип пам'яті накопичувачів краще?Важливі відмінності типів NAND-пам'яті TLC, QLC, MLC, SLC, які визначають сферу їх використання та перспективу розвитку
Як вибрати SSD накопичувач?Вибираємо SSD з необхідною швидкодією та високою надійністю для дому, роботи та геймінгу.
Інформація в описі моделі носить довідковий характер.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог Samsung 2024 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі Samsung.
Завжди перед покупкою уточнюйте у менеджера інтернет-магазину характеристики і комплектацію товару
Каталог Samsung 2024 - новинки, хіти продажів і найактуальніші моделі Samsung.
Серія Samsung EVO (високоефективні TLC)Порівняти в таблиці →
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 4200 МБ/с, читання: 5000 МБ/с, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
500 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3200 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 3300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 4200 МБ/с, читання: 5000 МБ/с, гарантія 5 років
500 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 2300 МБ/с, читання: 3500 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
250 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 6300 МБ/с, читання: 7150 МБ/с, гарантія 5 років
4000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 530 МБ/с, читання: 560 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 5.0 2x, 3D TLC NAND, запис: 6300 МБ/с, читання: 7250 МБ/с, гарантія 5 років
1000 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND, запис: 520 МБ/с, читання: 550 МБ/с, SATA 3, DRAM-буфер, гарантія 5 років
250 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 1500 МБ/с, читання: 3400 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
1000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 3.0 4x, 3D TLC NAND, запис: 2500 МБ/с, читання: 3400 МБ/с, DRAM-буфер, гарантія 5 років
Відеоогляди
Samsung 850 EVO M.2, Kinetic CPU Cooler, FCC changes broadband - CES Day 3
9 січня 201566 624 перегляда
How to Build a $600 PC- i5-6600, 850 EVO M.2, & Windows 10
21 лютого 2016
Samsung 850 EVO m.2 Review
10 серпня 20171 454 перегляда
Samsung 850 EVO mSATA & M.2 Overview - Newegg TV
2 травня 201570 096 переглядів
Samsung 850 EVO M.2 250gb vs. Sata 250gb & 500gb - SSD Benchmarks
7 вересня 201559 908 переглядів
Samsung SSD 850 EVO M.2 Unboxing
21 травня 20161 349 переглядів
Samsung 850 EVO M.2 SSD Review
1 квітня 2015184 396 переглядів
Samsung SSD 850 EVO M.2 Speed Test & Review
3 червня 201610 873 перегляда
SSD Samsung 860 EVO M.2 VS Samsung 850 EVO M.2 Speed Test and Comparison
11 червня 201835 871 перегляд
Як вибрати SSD-накопичувач
Додаткові функції і можливості ssd-накопичувача Samsung MZ-N5E120BW:
- Шифрування AES-256
Рекомендуємо
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, 6500 МБ/с, IOPS 820 / 1000 тис, 7400 МБ/с, IOPS 1000 тис
1000 - 8000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6300 / 6600 МБ/с, IOPS 1100 / 1200 тис, 7200 / 7300 МБ/с, IOPS 800 / 1200 тис
120 - 1920 ГБ, 2.5", 3D TLC NAND / 3D QLC NAND, 320 МБ/с, IOPS 40 тис, 450 МБ/с, IOPS 40 тис
500 - 2000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D NAND, 2400 / 2700 МБ/с, IOPS 500 / 540 тис, 3500 МБ/с, IOPS 220 - 380 тис
1000 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 6000 / 6400 МБ/с, IOPS 700 тис, 7400 МБ/с, IOPS 900 / 1000 тис
500 - 4000 ГБ, M.2, 22x80, PCI-E 4.0 4x, 3D TLC NAND, 3900 - 7000 МБ/с, IOPS 900 / 1000 тис, 7300 МБ/с, IOPS 450 - 1000 тис
