Бюджетник з вирізом у верхній частині дисплея, який всіма силами намагається бути схожим на відомий Apple iPhone X. Фактично ж він менше «яблучного» гаджета і, зрозуміло, всередині смартфона встановлена набагато скромніша «начинка». В основу апаратної частини пристрою ліг 4-ядерний чип-скромняга MediaTek MT6580A в комбінації з 2 ГБ ОЗП. Постійної пам'яті на борту Blackview A30 теж відносно небагато — 16 ГБ, що частково компенсується наявністю слота під карту пам'яті microSD для збільшення місткості штатного сховища даних. Екран смартфона має пропорції 19:9 і нетипове роздільна здатність 1132х540 пікселів. Сканера відбитків в активах моделі немає, натомість користувачеві пропонується скористатися функцією розблокування по обличчю. В цьому питанні покликана допомогти 5 МП фронталка. З тилу с...мартфон обладнаний здвоєною камерою 8 + 8 МП, допоміжний модуль у складі якої надає сприяння в отриманні ефектного розмиття фону під час зйомки в портретному режимі. Енергетичним центром моделі є незнімна акумулятор на 2500 мАгод.
Бюджетник з вирізом у верхній частині дисплея, який всіма силами намагається бути схожим на відомий Apple iPhone X. Фактично ж він менше «яблучного» гаджета і, зрозуміло, всередині смартфона встановлена набагато скромніша «начинка». В основу апаратної частини пристрою ліг 4-ядерний чип-скромняга MediaTek MT6580A в комбінації з 2 ГБ ОЗП. Постійної пам'яті на борту Blackview A30 теж відносно небагато — 16 ГБ, що частково компенсується наявністю слота під карту пам'яті microSD для збільшення місткості штатного сховища даних.
Екран смартфона має пропорції 19:9 і нетипове роздільна здатність 1132х540 пікселів. Сканера відбитків в активах моделі немає, натомість користувачеві пропонується скористатися функцією розблокування по обличчю. В цьому питанні покликана допомогти 5 МП фронталка. З тилу смартфон обладнаний здвоєною камерою 8 + 8 МП, допоміжний модуль у складі якої надає сприяння в отриманні ефектного розмиття фону під час зйомки в портретному режимі. Енергетичним центром моделі є незнімна акумулятор на 2500 мАгод.