Порівняння GOODRAM PX500 GEN.2 SSDPR-PX500-512-80-G2 512 ГБ vs Kingston NV2 SNV2S/500G 500 ГБ

Номінальна ємність накопичувача. Цей параметр безпосередньо визначає не тільки кількість даних, яка може поміститися на пристрій, але і його вартість; багато моделей SSD навіть випускаються в декількох версіях, що розрізняються по місткості. Тому при виборі варто враховувати реальні потреби та особливості застосування — інакше можна переплатити значну суму за не потрібні на практиці об'єми.

Що стосується фактичних значень, то ємність 120 ГБ і нижче в наш час вважається невеликою. Сюди ж можна прирівняти і SSD на 240 ГБ. Середніми значення вже вважаються 500 ГБ, підвищеними - 1 ТБ (в діапазон до яких потрапляють SSD на 400 і 800 ГБ). А найбільш ємні сучасні SSD вміщають 2 TБ, 4 TБ і навіть більше.

Інтерфейс підключення, який підтримується накопичувачем формату M.2 (див. «Форм-фактор»).

Всі такі накопичувачі використовують стандартний апаратний роз'єм, проте через цей роз'єм можуть реалізовуватися різні електричні (логічні) інтерфейси - або SATA (зазвичай SATA 3), або PCI-E (найчастіше у варіантах PCI-E 3.0 2x, PCI-E 3.0 4x, PCI-E 4.0 4x, PCI-E 5.0 4x). Роз'єм M.2 на материнській платі повинен підтримувати відповідний інтерфейс - інакше нормальна робота SSD буде неможлива. Розглянемо кожен варіант детальніше.

Підключення за стандартом SATA 3 забезпечує швидкість передачі до 5,9 Гбіт/с (близько 600 МБ/с); воно вважається дуже простим варіантом і використовується переважно в бюджетних M.2-модулях. Це з тим, що цей інтерфейс спочатку створювався під жорсткі диски, й у швидших SSD-накопичувачів його можливостей може вистачати.

У свою чергу, інтерфейс PCI-E дає більше високі швидкості підключення та дає змогу реалізовувати спеціальні технології на кшталт NVMe (див. нижче). У позначенні такого інтерфейсу вказується його версія та кількість ліній – наприклад, PCI-E 3.0 2x означає версію 3 із двома лініями передачі даних. За цим позначенням можна визначити максимальну швидкість підключення: PCI-E версії 3.0 дає трохи менше 1 ГБ/с на 1 лінію, версії 4.0 — удвічі біль...ше (до 2 ГБ/с), 5.0 — ще вдвічі більше за «четвірку» (майже 4 ГБ /с). Таким чином, для PCI-E 5.0 4x максимальна швидкість обміну даними становитиме близько 15 ГБ/с (4 лінії майже по 4 ГБ/с). При цьому відзначимо, що новіші та швидкі накопичувачі можна підключати до більше ранніх і повільних роз'ємів M.2 — хіба що швидкість передачі даних при цьому обмежуватиметься можливостями роз'єму.

Тип основної пам'яті накопичувача визначає особливості розподілу інформації по апаратних комірках і фізичні особливості самих комірок.

— MLC. Пам'ять Multi Level Cell на основі багатоярусних комірок, кожна з яких містить кілька рівнів сигналу. В осередках пам'яті MLC зберігається по 2 біта інформації. Має оптимальні показники надійності, енергоспоживання і продуктивності. До недавніх пір технологія була популярна в SSD-модулях початкового і середнього рівня, зараз вона поступово витісняється більше досконалими варіантами на зразок TLC або 3D MLC.

— TLC. Еволюція технології MLC. Один елемент флеш-пам'яті Triple Level Cell може зберігати 3 біта інформації. Подібна щільність запису дещо збільшує ймовірність виникнення помилок в порівнянні з MLC, крім того, TLC-пам'ять вважається менш довговічною. Позитивною рисою характеру даної технології є доступна вартість, а для підвищення надійності в SSD-накопичувачах з TLC-пам'яттю можуть застосовуватися різні конструктивні хитрощі.

— 3D NAND. У структурі 3D NAND кілька шарів комірок пам'яті розміщуються вертикально, а між ними організовані взаємозв'язки. Завдяки цьому забезпечується велика ємність сховища без нарощування фізичних розмірів накопичувача та підвищується продуктивність роботи пам'яті за рахунок більш коротких з'єднань кожної комірки пам'яті. У SSD-накопичувачах пам'ять 3D NAND може викор...истовувати чипи MLC, TLC або QLC - докладніше про них повідомлено у відповідних пунктах.

— 3D MLC NAND. MLC-пам'ять багатошарової структури – її комірки розміщуються на платі не в один рівень, а в кілька «поверхів». Як результат, виробники досягли підвищення місткості накопичувачів без помітного збільшення габаритів. Також для пам'яті 3D MLC NAND характерні більш високі показники надійності, ніж в оригінальній MLC (див. відповідний пункт), при меншій вартості виробництва.

— 3D TLC NAND. «Тривимірна» модифікація технології TLC (див. відповідний пункт) з розміщенням комірок пам'яті на платі в кілька шарів. Подібне компонування дає змогу досягти більш високої ємності при менших розмірах самих накопичувачів. У виробництві така пам'ять простіше і дешевше одношарової.

— 3D QLC NAND. Тип-флеш пам'яті з чотирирівневими осередками (Quad Level Cell), що передбачає по 4 біта даних в кожній клітині. Технологія покликана зробити SSD з великими об'ємами масово доступними і остаточно відправити традиційні HDD у відставку. У конфігурації 3D QLC NAND пам'ять будується за «багатоповерховою» схемою з розміщенням комірок на платі в кілька шарів. «Тривимірна» структура здешевлює виробництво модулів пам'яті і дає змогу збільшити об'єм накопичувачів без шкоди для їх масогабаритної складової.

— 3D XPoint. Принципово новий тип пам'яті, що кардинально відрізняється від традиційного NAND. У таких накопичувачах комірки пам'яті і селектори розташовуються на перетинах перпендикулярних рядів провідних доріжок. Механізм запису інформації в комірки базується на зміні опору матеріалу без використання транзисторів. Пам'ять 3D XPoint є простою і недорогою у виробництві, до того ж вона забезпечує набагато більш високі показники швидкості і довговічності. Приставка «3D» в назві технології свідчить про те, що комірки на кристалі розміщуються в кілька шарів. Перше покоління 3D XPoint отримало двошарову структуру і виконане по 20-нанометровому техпроцесу.

Найбільша швидкість в режимі запису характеризує швидкість, з якою модуль може приймати інформацію з підключеного комп'ютера (або іншого зовнішнього пристрою). Ця швидкість обмежується як інтерфейс підключення (див. «Роз'єм»), так і особливостями будови самого SSD.

Найбільша швидкість обміну даними з комп'ютером (або іншим зовнішнім пристроєм), яку накопичувач може забезпечити в режимі зчитування; простіше кажучи — найбільша швидкість виведення інформації з накопичувача на зовнішній пристрій. Ця швидкість обмежується як інтерфейс підключення (див. «Роз'єм»), так і особливостями будови самого SSD. Її значення можуть варіюватися від 100 – 500 МБ/с в найбільш повільних моделях до 3 Гб/с і вище в самих прогресивних.

Час напрацювання накопичувача на відмову — час, який він здатний безперервно працювати без збоїв і неполадок; іншими словами — час роботи, після закінчення якого з'являється висока ймовірність появи помилок, а то і виходу модуля з ладу.

Зазвичай, в характеристиках вказується деякий середній час, виведене за результатами умовного тестування. Тому фактичне значення цього параметра може відрізнятися від заявленого в ту чи іншу сторону; однак на практиці цього момент не є особливо значущим. Річ у тім, що для сучасних SSD час напрацювання на відмову обчислюється мільйонами годин, а 1 млн годин відповідає більш ніж 110 років — при цьому мова йде саме про чисте часу роботи. Так що з практичної сторони довговічність накопичувача частіше обмежується більш специфічними параметрами — TBW і DPWD (див. нижче); а гарантія виробника взагалі не перевищує декількох років. Втім, дані з напрацювання на відмову в годинах можуть також стати в нагоді при виборі: за інших рівних умов більший час означає більшу надійність та довговічність SSD загалом.

Абревіатурою TBW позначають напрацювання накопичувача на відмову, виражену в терабайтах. Іншими словами, це загальна кількість інформації, яке гарантовано може бути записано (перезаписаний) на даний модуль. Даний показник дозволяє оцінити загальну надійність і термін служби накопичувача — чим вище TBW, тим довше прослужить пристрій, за інших рівних умов.

Зазначимо, що знаючи TBW і термін гарантії, можна обчислити кількість перезаписів в день (DWPD, див. відповідний пункт), якщо виробник не вказав цих даних. Для цього потрібно скористатися формулою: DWPD = TBW /(V*T*365), де V — ємність накопичувача в терабайтах, T — термін гарантії (років). Що ж до конкретних цифр, то на ринку чимало накопичувачів з відносно невисоким TBW — до 100 ТБ; навіть таких значень нерідко виявляється достатньо для повсякденного використання протягом значного часу. Втім, частіше зустрічаються моделі з TBW на рівні 100 – 500 ТБ. Значення в 500 – 1000 ТБ можна віднести до категорії «вище середньої», а в найбільш надійних рішеннях цей показник ще вище.

Кількість повних перезаписів в день, допускається конструкцією накопичувача, іншими словами — скільки разів на день можна гарантовано перезаписувати накопичувач цілком, не боячись помилок.

Даний параметр описує загальну надійність і довговічність накопичувача. За змістом він схожий з TBW (див. відповідний пункт), одну величину навіть можна перевести в іншу, знаючи термін гарантії: TBW = DWPD*V*T*365, де V — об'єм накопичувача в терабайтах, а T — термін гарантії у роках. Тим не менш, DWPD є дещо специфічним показником: він описує не тільки загальну напрацювання на відмову, але ще й обмеження за кількістю перезаписів за день; при перевищенні даного обмеження накопичувач може вийти з ладу раніше, ніж зазначено у гарантії. Втім, навіть невеликі значення DWPD — 0,5 – 1 раз в день, а то й менше 0,5 раз в день — нерідко виявляються достатніми не тільки для нескладного повсякденного використання, але навіть для професійних завдань. Більш високі показники — 1 – 2 рази на день або більше — зустрічаються рідко; водночас це можуть бути як професійні, так і бюджетні SSD-модулі.

Наявність охолоджуючого радіатора конструкції накопичувача форм-фактора M.2.

Радіатор зазвичай є металеву пластину, закріплену на платі накопичувача. Він покращує відведення тепла, що особливо важливо при високих навантаженнях, пов'язаних із оперуванням великими масивами інформації. Накопичувачі M.2 з радіатором охолодження призначені переважно для високопродуктивних систем, зокрема ігрових.

Існує також особливий різновид найтонших і легких графенових радіаторів. Вони наклеюються на поверхню M.2 SSD-диска, покриваючи ключові області (контролер та мікросхеми пам'яті), що виділяють найбільшу кількість тепла. Це дає змогу більше рівномірно розподіляти тепло та мінімізувати його накопичення.

Також зазначимо, що радіатори M.2 зустрічаються як оснащення материнських плат. Наприклад що якщо сам накопичувач не має цієї функції – можна підібрати до нього «материнку» з радіатором.