Польща
Каталог   /   Комп'ютерна техніка   /   Комплектуючі   /   SSD-накопичувачі

Порівняння SanDisk Extreme Portable V2 SDSSDE61-1T00-G25 1 ТБ vs SanDisk Extreme Portable SSD SDSSDE60-1T00-G25 1 ТБ

Додати до порівняння
SanDisk Extreme Portable V2 SDSSDE61-1T00-G25 1 ТБ
SanDisk Extreme Portable SSD SDSSDE60-1T00-G25 1 ТБ
SanDisk Extreme Portable V2 SDSSDE61-1T00-G25 1 ТБSanDisk Extreme Portable SSD SDSSDE60-1T00-G25 1 ТБ
Порівняти ціни 23
від 516 zł
Очікується у продажу
ТОП продавці
Головне
Захист від пилу та вологи за стандартом IP55.
Типзовнішнійзовнішній
Об'єм1000 ГБ1000 ГБ
Форм-фактор2.5"2.5"
Роз'ємUSB C 3.2 gen2USB C 3.2 gen2
Технічні хар-ки
Тип пам’яті3D TLC NANDTLC
NVMe
Зовнішня швидкість запису1000 МБ/с
Зовнішня швидкість зчитування1050 МБ/с550 МБ/с
Ударостійкість під час роботи1500 G
Гарантія виробника5 років2 роки
Інше
Шифрування даних
Комплектний кабельUSB C – USB CUSB-C – USB-C та USB-C – USB-A
Ударостійкий корпус
Рівень захисту (IP)IP55IP55
Матеріал корпусапластик
Розміри100x52x9 мм76x76x11 мм
Вага79 г
Колір корпусу
Дата додавання на E-Katalogлистопад 2020січень 2018

Тип пам’яті

Тип основної пам'яті накопичувача визначає особливості розподілу інформації по апаратних комірках і фізичні особливості самих комірок.

MLC. Пам'ять Multi Level Cell на основі багатоярусних комірок, кожна з яких містить кілька рівнів сигналу. В осередках пам'яті MLC зберігається по 2 біта інформації. Має оптимальні показники надійності, енергоспоживання і продуктивності. До недавніх пір технологія була популярна в SSD-модулях початкового і середнього рівня, зараз вона поступово витісняється більше досконалими варіантами на зразок TLC або 3D MLC.

TLC. Еволюція технології MLC. Один елемент флеш-пам'яті Triple Level Cell може зберігати 3 біта інформації. Подібна щільність запису дещо збільшує ймовірність виникнення помилок в порівнянні з MLC, крім того, TLC-пам'ять вважається менш довговічною. Позитивною рисою характеру даної технології є доступна вартість, а для підвищення надійності в SSD-накопичувачах з TLC-пам'яттю можуть застосовуватися різні конструктивні хитрощі.

3D NAND. У структурі 3D NAND кілька шарів комірок пам'яті розміщуються вертикально, а між ними організовані взаємозв'язки. Завдяки цьому забезпечується велика ємність сховища без нарощування фізичних розмірів накопичувача та підвищується продуктивність роботи пам'яті за рахунок більш коротких з'єднань кожної комірки пам'яті. У SSD-накопичувачах пам'ять 3D NAND може викор...истовувати чипи MLC, TLC або QLC - докладніше про них повідомлено у відповідних пунктах.

3D MLC NAND. MLC-пам'ять багатошарової структури – її комірки розміщуються на платі не в один рівень, а в кілька «поверхів». Як результат, виробники досягли підвищення місткості накопичувачів без помітного збільшення габаритів. Також для пам'яті 3D MLC NAND характерні більш високі показники надійності, ніж в оригінальній MLC (див. відповідний пункт), при меншій вартості виробництва.

3D TLC NAND. «Тривимірна» модифікація технології TLC (див. відповідний пункт) з розміщенням комірок пам'яті на платі в кілька шарів. Подібне компонування дає змогу досягти більш високої ємності при менших розмірах самих накопичувачів. У виробництві така пам'ять простіше і дешевше одношарової.

3D QLC NAND. Тип-флеш пам'яті з чотирирівневими осередками (Quad Level Cell), що передбачає по 4 біта даних в кожній клітині. Технологія покликана зробити SSD з великими об'ємами масово доступними і остаточно відправити традиційні HDD у відставку. У конфігурації 3D QLC NAND пам'ять будується за «багатоповерховою» схемою з розміщенням комірок на платі в кілька шарів. «Тривимірна» структура здешевлює виробництво модулів пам'яті і дає змогу збільшити об'єм накопичувачів без шкоди для їх масогабаритної складової.

3D XPoint. Принципово новий тип пам'яті, що кардинально відрізняється від традиційного NAND. У таких накопичувачах комірки пам'яті і селектори розташовуються на перетинах перпендикулярних рядів провідних доріжок. Механізм запису інформації в комірки базується на зміні опору матеріалу без використання транзисторів. Пам'ять 3D XPoint є простою і недорогою у виробництві, до того ж вона забезпечує набагато більш високі показники швидкості і довговічності. Приставка «3D» в назві технології свідчить про те, що комірки на кристалі розміщуються в кілька шарів. Перше покоління 3D XPoint отримало двошарову структуру і виконане по 20-нанометровому техпроцесу.

NVMe

Підтримка накопичувачем технології NVMe.

NVMe являє собою протокол обміну даними, розроблений спеціально для SSD-модулів і застосовуваний при підключенні по шині PCI-E. Цей протокол був розроблений для усунення недоліків, характерних для більш ранніх стандартів підключення (зразок SCSI або SATA) — насамперед невисокій швидкості, не дозволяла реалізувати всі можливості твердотільної пам'яті. NVMe враховує ключові переваги SSD — незалежний доступ, багатопотоковість і низькі затримки. Підтримка цього протоколу вбудована в усі основні сучасні операційні системи, він працює не тільки через оригінальний інтерфейс PCIe, але і через M. 2 (див. «Форм-фактор»). А роз'єм U. 2 взагалі був створений спеціально для SSD-накопичувачів з NVMe (хоча наявність цього роз'єми саме по собі ще не означає сумісності з даним протоколом).

Зовнішня швидкість запису

Найбільша швидкість в режимі запису характеризує швидкість, з якою модуль може приймати інформацію з підключеного комп'ютера (або іншого зовнішнього пристрою). Ця швидкість обмежується як інтерфейс підключення (див. «Роз'єм»), так і особливостями будови самого SSD.

Зовнішня швидкість зчитування

Найбільша швидкість обміну даними з комп'ютером (або іншим зовнішнім пристроєм), яку накопичувач може забезпечити в режимі зчитування; простіше кажучи — найбільша швидкість виведення інформації з накопичувача на зовнішній пристрій. Ця швидкість обмежується як інтерфейс підключення (див. «Роз'єм»), так і особливостями будови самого SSD. Її значення можуть варіюватися від 100 – 500 МБ/с в найбільш повільних моделях до 3 Гб/с і вище в самих прогресивних.

Ударостійкість під час роботи

Параметр, що визначає стійкість накопичувача до ударів і струсів в процесі роботи. Вимірюється в G — одиницях перевантаження, 1 G відповідає звичайній силі земного тяжіння. Чим вище число G — тим більш стійко пристрій до різного роду струсів і тим менша ймовірність пошкодження даних у ньому, скажімо, у випадку падіння. Цей параметр особливо важливий для зовнішніх накопичувачів (див. Тип).

Гарантія виробника

Гарантія виробника, передбачена для даної моделі.

Фактично це мінімальний термін служби, обіцяний виробником за умови дотримання правил експлуатації. Найчастіше фактичний термін служби пристрою виявляється помітно довше гарантованого. Однак варто враховувати, що гарантія нерідко передбачає додаткові умови — наприклад, «[стільки-то років] або до вичерпання TBW» (докладніше про TBW див. вище).

Конкретні терміни гарантії можуть бути різними навіть у схожих накопичувачів одного виробника. Найпопулярніші варіанти — 3 роки і 5 років, однак зустрічаються й інші цифри — до 10 років у найбільш дорогих і висококласних моделях.

Комплектний кабель

Тип кабелю, яким укомплектований накопичувач.

Цей параметр актуальне виключно для зовнішніх моделей (див. «Тип»). Тип кабелю вказується за типами конекторів на його кінцях, при цьому першим вказується штекер для підключення до накопичувача, другим — для підключення до комп'ютера. Конкретні види конекторів можуть бути такими:

— USB А. Штекер під традиційні повнорозмірні порти USB — такі, як передбачаються в більшості комп'ютерів і ноутбуків. Власне, такий штекер застосовується тільки на «комп'ютерному» кінці кабелю — для самих накопичувачів роз'єми USB-A занадто громіздкі.

— USB-C. Найбільш новий з сучасних роз'ємів USB. На відміну від попередників має двосторонню конструкцію — штекер може вставлятися в роз'єм будь-якою стороною. Досить компактний, завдяки чому цілком підходить для установки в корпус накопичувача; однак зустрічається і в комп'ютерах/ноутбуках, так що штекери USB-C можуть передбачатися як з одного, так і з обох боків кабелю.

— Micro B. Штекер під роз'єм типу microUSB; такий роз'єм багатьом знайомий з портативних гаджетів на зразок смартфонів і планшетів, зустрічається він і в SSD-накопичувачах. Власне, штекер micro B передбачається тільки з боку накопичувача — в комп'ютерах роз'єм практично не зустрічається.

— MiniUSB. Ще одна зменшена версія USB-штекера, багато в чому аналогічна описаним вище micro B. В наш час вважається застарілою і практично вийшла з ужитку.

Найпоширенішими варіантами комплектних...кабелів є USB-C – USB-A, USB-C – C USB, micro B – USB-A і mini USB – USB-A. Деякі накопичувачі, що мають роз'єм USB-C, оснащуються відразу двома типами дроту — з USB-C і USB-A на «комп'ютерному» наприкінці.

Ударостійкий корпус

Наявність у накопичувачі посиленого захисту від ударів і струсів.

SSD-модулі самі по собі досить стійкі до ударів; ця ж особливість вказується в тому випадку, якщо накопичувач спеціально посилений в розрахунку на те, щоб максимально протистояти падінь і інших «неприємностей». Ударостійкий корпус актуальне насамперед для зовнішніх моделей (див. «Тип»).

Матеріал корпуса

Матеріал, з якого виконаний корпус накопичувача. Цей параметр актуальне в основному для зовнішніх моделей (див. «Тип»), оскільки внутрішні захищені корпусом комп'ютера і при нормальних умовах не контактують з навколишнім середовищем.

— Пластик. Недорогий і водночас досить практичний матеріал. Пластик поступається металу по міцності, однак він цілком надійний (аж до можливості застосування в ударостійких моделях), до того ж не боїться вологи. Крім того, цей матеріал легко приймає найрізноманітніші форми і забарвлення, що «полегшує життя» дизайнерам і дозволяє створювати оригінально виглядають пристрою. Завдяки цьому більшість корпусів для SSD-накопичувачів виконується саме з пластику.

— Метал. З практичної точки зору метал, з одного боку, міцніше пластику, з іншого — складніше в обробці і дорожче; при цьому висока міцність на практиці потрібно нечасто. Тому металевий корпус характерний в основному для досить прогресивних рішень.
Динаміка цін
SanDisk Extreme Portable V2 часто порівнюють