Ранг пам'яті
Кількість рангів, передбачена в планці пам'яті.
Рангом в даному разі називають один логічний модуль — набір мікросхем із загальною розрядністю 64 біта. Якщо кількість рангів більше одного — це означає, що на одному фізичному модулі реалізовано декілька логічних, а канал передачі даних вони використовують поперемінно. Подібна конструкція використовується для того, щоб досягти більших об'ємів RAM при обмеженій кількості слотів під окремі планки. При цьому варто сказати, що для побутових комп'ютерів на ранг пам'яті можна не звертати особливої уваги — точніше, для них цілком достатньо
однорангових модулів. А ось для потужних серверів і робочих станцій випускаються
двох-,
чотири- і навіть восьмирангові рішення.
Зазначимо, що за інших рівних умов більше число рангів дає змогу досягти більших об'ємів, однак потребує більшої обчислювальної потужності і підвищує навантаження на систему.
CAS-латентність
Під цим терміном розуміють час (точніше, кількість циклів роботи пам'яті), який проходить від запиту процесора на читання даних до надання доступу до першої з комірок, що містять вибрані дані. CAS-латентність є одним з таймінгів (докладніше про них див п. «Схема таймінгів пам'яті», там цей параметр позначений як CL) — а значить, вона впливає на швидкодію: чим нижче CAS, тим швидше працює даний модуль пам'яті. Правда, це справедливо лише для однієї і тієї ж тактової частоти (докладніше див. там же).
Зараз на ринку представлені модулі пам'яті з такими значеннями CAS-латентності:
9,
10,
11,
12,
13,
14,
15,
16,
17,
18,
19,
20,
21,
22,
24,
30,
32,
36,
38,
40,
42,
46.
Схема таймінгів пам'яті
Таймінг — термін, що позначає час, необхідний для виконання якої-небудь операції. Для розуміння схеми таймінгів потрібно знати, що структурно оперативна пам'ять складається з банків (від 2 до 8 на модуль), кожен з яких, зі свого боку, має рядки і стовпці, подібно таблиці; при зверненні до пам'яті спочатку вибирається банк, потім рядок, потім стовпець. Схема таймінгів показує час, за який виконуються чотири основні операції під час роботи оперативної пам'яті, і зазвичай записується чотирма цифрами у форматі CL-Trcd-Trp-Tras, де
CL — мінімальна затримка між отриманням команди на читання даних і початком їх передачі;
Trcd — мінімальний час між вибором рядка і вибором стовпця в ній;
Trp — мінімальний час для закриття рядка, тобто затримка між подачею сигналу і фактичним закриттям. За один раз може бути відкрита тільки одна рядок банку; перш ніж відкрити наступний рядок, необхідно закрити попередню.
Tras — мінімальний час активності рядка, іншими словами — найменший час, через яке рядку можна подати команду на закриття після її відкриття.
Час в схемі таймінгів вимірюється в тактах, тому реальна швидкодія пам'яті залежить не тільки від схеми таймінгів, але і від тактової частоти. Наприклад, пам'ять зі схемою 8-8-8-24 і тактовою частотою 1600 МГц буде працювати з такою ж швидкістю, що і пам'ять зі схемою 4-4-4-12 і частотою 800 МГц — і в тому, і в тому випадку схема таймінгів, якщо її виразити в наносекундах,...буде становити 5-5-5-15.
Робоча напруга
Штатний електричну напругу, необхідну для роботи модуля пам'яті. При виборі пам'яті необхідно звернути увагу на те, щоб відповідна напруга підтримувалося материнською платою.
Тип охолодження
Тип
охолодження, передбачений в конструкції оперативної пам'яті.
—
Без охолодження. Відсутність спеціального охолодження характерно для модулів пам'яті з невеликою і середньою потужністю — вони виділяють не так багато тепла, щоб його потрібно було спеціально відводити.
— Радіатор. Пристосування у вигляді металевої конструкції з характерною ребристою поверхнею — така форма збільшує площу зіткнення з повітрям, що, зі свого боку, покращує тепловіддачу. Найпростіший різновид систем охолодження, за ефективністю поступається радіатора з кулером і тим більше водяного контуру (див. нижче), зате не створює шуму, не споживає зайвої енергії і не потребує підключення додаткового живлення або трубок. А згаданої ефективності буває достатньо навіть для досить потужних модулів ОПЕРАТИВНОЇ пам'яті.
— Радіатор з кулером. Радіаторне
охолодження (див. вище), доповнене блоком з вентилятором (вентиляторами) для примусової циркуляції повітря. Таке доповнення помітно підвищує ефективність радіатора, воно може застосовуватися навіть у досить потужних комплектах RAM. З іншого боку, вентилятор створює шум під час роботи й помітно збільшує енергоспоживання.
— Водяне охолодження. Охолодження у вигляді рідинного теплообмінника, що підключається до контуру водяного охолодження комп'ютерної системи. Відмінною зовнішньою особливістю такого охолодження є два хар
...актерних патрубка. Водяні системи дуже ефективні і підходять навіть для самих потужних і «гарячих» планок, однак складні в підключенні і вимагають недешевого зовнішнього обладнання, а тому застосовуються переважно серед топових моделей RAM, в яких без такого охолодження в принципі не обійтися. Відзначимо, що деякі з таких моделей допускають роботу і «насухо», без води, проте це не рекомендується — на високих навантаженнях можуть виникнути збої.
— Рідинно-повітряне. Згідно з назвою, цей варіант передбачає використання двох типів охолодження — повітряного (радіатора) і водяної. Про те й інше див. вище, однак варто відзначити, що водяне охолодження в даному випадку може передбачатися у кілька «урізаному» вигляді — у вигляді патрубків для підключення до загального контуру охолодження, а у вигляді герметичній капсули з теплопроводящей рідиною. В ефективності такі системи, зрозуміло, помітно програють класичним рідинним — зате вони не вимагають складного підключення; а капсула так чи інакше покращує ефективність роботи радіатора, та і виглядає незвично.Додатково
— Серія
для розгону (overclocking). Приналежність до подібної серії означає, що виробник першопочатково передбачив у модулі можливість розгону («оверклокінгу») — тобто підвищення продуктивності за рахунок зміни параметрів роботи, зокрема, збільшення робочої напруги і тактової частоти. «Розігнати» можна і звичайну пам'ять, що не належить до оверклокерської — проте це складно і загрожує збоями, аж до повного перегорання схем, тоді як в спеціалізованих серіях розгін є документованою функцією, що реалізується швидко і просто, до того ж найчастіше покривається гарантією.
—
Підтримка XMP. Сумісність модуля пам'яті з технологією XMP. Дана технологія, створена компанією Intel, застосовується для розгону (див. відповідний пункт). Її ключовий принцип полягає в тому, що у модулі пам'яті записані певні профілі розгону — набори налаштувань, перевірені на стабільність роботи; та замість того, щоб вручну виставляти окремі параметри, користувачеві досить вибрати один із профілів. Це спрощує налаштування системи і водночас підвищує її надійність при розгоні. Однак варто враховувати, що для використання XMP її повинна підтримувати не тільки пам'ять, але і материнська плата.
— Підтримка AMP. Сумісність модуля пам'яті з технологією AMP. За основними особливостями дана технологія повністю аналогічна описаній вище
XMP і відрізняється лише творцем — в даному разі це
...компанія AMD.
— Підтримка EXPO. Сумісність модуля пам'яті з технологією EXPO (Extended Profiles for Overclocking). Її створили в компанії AMD спеціально для розгону планок DDR5 у складі систем Ryzen 7000. За своєю суттю, це заводський набір профілів оперативної пам'яті, який спрощує розгін «оперативки». Використання технології дає змогу підвищити продуктивність в іграх приблизно на 11% при роздільній здатності зображення, що транслюється, Full HD.
— Підтримка буферизації (Registered). Наявність у модуля пам'яті так званого буфера — розділу для швидкого збереження даних, що надійшли, — між контролером пам'яті (керуючим пристроєм) і власне чипами (запам'ятовуючими пристроями). Така схема знижує навантаження на контролер, за рахунок чого досягається більш висока надійність; з іншого боку, буферизовані модулі мають злегка знижену швидкодію внаслідок затримки при передачі інформації через буфер. Буферизована пам'ять застосовується переважно в серверних системах і характеризується високою вартістю.
При виборі пам'яті варто враховувати, що в одній системі може використовуватися або тільки буферизована, або тільки небуферизована пам'ять; поєднати ці два типи пам'яті неможливо.
— Підтримка ECC. ECC (Error Checking and Correction) — технологія, що дає можливість виправляти дрібні помилки, що виникають у процесі роботи з даними. Для використання ECC необхідно, щоб вона підтримувалася не тільки модулем пам'яті, але і материнською платою; переважно така підтримка застосовується в серверах, проте зустрічається і в «материнках» для звичайних десктопів.
