Порівняння Kingston XS1000 SXS1000/1000G 1 ТБ vs Samsung T7 Shield MU-PE1T0S 1 ТБ

Форм-фактор, в якому виконаний накопичувач. Ця характеристика визначає розміри і форму модуля, а в багатьох випадках — ще й інтерфейс підключення. При цьому варто зазначити, що для зовнішніх SSD (див. «Тип») форм-фактор є другорядним параметром, від нього залежать лише загальні габарити корпуса (і то дуже приблизно). Тому звертати увагу на цей момент варто насамперед при виборі внутрішнього SSD — такий накопичувач повинен відповідати форм-фактору посадкового місця під нього, інакше нормальна установка буде неможливою.

Ось деякі найбільш популярні варіанти:

— 2,5". Один з найпоширеніших форм-факторів для внутрішніх SSD. Першопочатково накопичувачі на 2,5" застосовувалися в ноутбуках, однак у наш час відповідні слоти зустрічаються і в більшості настільних ПК. В будь-якому випадку, модулі цього форм-фактора можуть встановлюватися різними способами: одні кріпляться в окремі гнізда аналогічно жорстким дискам, інші (під інтерфейс U. 2, див. «Роз'єм») вставляються прямо в роз'єми материнських плат.

— M. 2. Форм-фактор, який застосовується переважно в висококласних внутрішніх накопичувачах, що поєднують в собі мініатюрні розміри і значні обсяги. Використовує власний стандартний роз'єм підключення, тому цей роз'єм в характеристиках окремо не вказується. Варто враховувати, що стандарт M. 2 поєднує в собі відразу два формату передачі даних — SATA і PCI-E, і накопичувачем зазвичай підтрим...ується тільки один з них; докладніше див. «Інтерфейс M. 2». В будь-якому випадку, завдяки невеликим габаритам подібні модулі підходять як для настольних ПК, так і для ноутбуків.

— mini-SATA (mSATA). Мініатюрний форм-фактор внутрішніх накопичувачів, ідейний попередник M. 2. Першопочатково розроблявся для нетбуків і ультракомпактних лептопів, однак у наш час можна зустріти і настільні ПК з роз'ємами mSATA на материнських платах. Втім, у зв'язку з появою і розвитком більш прогресивних варіантів цей форм-фактор поступово виходить з вживання.

— PCI-E карта (HHHL). Накопичувачі, виконані у вигляді плат розширення і підключаються в слоти PCI-E (так само, як зовнішні відеокарти, звукові плати тощо). Маркування HHHL означає половинну довжину і половинну висоту — таким чином, подібні модулі підходять не тільки для повнорозмірних ПК, але і для більш компактних систем — наприклад, неттопів і навіть деяких ноутбуків. Інтерфейс PCI-E дозволяє досягти хороших швидкостей обміну даними, до того ж саме через нього реалізується NVMe (див. нижче). З іншого боку, ці можливості доступні і в більш досконалих і компактних форм-факторах, зокрема M. 2. Тому SSD-модулів у форматі карт PCI-E у наш час на ринку небагато.

— 1,8". Форм-фактор мініатюрних накопичувачів, першопочатково створений для ультракомпактних ноутбуків. Втім, у наш час SSD-модулі цього формату можна зустріти вкрай рідко, причому це переважно зовнішні моделі. Це пов'язано з появою більш зручних і досконалих форм-факторів для внутрішнього застосування, таких, як описаний вище M. 2.

— 3,5". Найбільший форм-фактор сучасних SSD-накопичувачів — розмір такого модуля можна порівняти з традиційним жорстким диском для настільного ПК. У наш час практично вийшов з ужитку в зв'язку з громіздкістю і відсутністю будь-яких помітних переваг перед більш мініатюрними рішеннями.

Модель контролера, встановленого в SSD-накопичувачі.

Контролер являє собою управляючу схему, яка, власне, і забезпечує обмін інформацією між комірками пам'яті та комп'ютером, до якої підключений накопичувач. Можливості того чи іншого SSD-модуля (зокрема, швидкість читання і запису) багато в чому залежать саме від цієї схеми. Знаючи модель контролера, можна знайти детальні дані по ньому і оцінити можливості накопичувача. Для нескладного повсякденного використання ця інформація, зазвичай, не потрібна, але ось професіоналам і ентузіастам (моддерам, оверклокерам) вона може стати в нагоді.

В наш час висококласні контролери випускаються переважно під такими брендами: InnoGrit, Maxio, Phison, Realtek, Silicon Motion, Samsung.

Тип основної пам'яті накопичувача визначає особливості розподілу інформації по апаратних комірках і фізичні особливості самих комірок.

— MLC. Пам'ять Multi Level Cell на основі багатоярусних комірок, кожна з яких містить кілька рівнів сигналу. В осередках пам'яті MLC зберігається по 2 біта інформації. Має оптимальні показники надійності, енергоспоживання і продуктивності. До недавніх пір технологія була популярна в SSD-модулях початкового і середнього рівня, зараз вона поступово витісняється більше досконалими варіантами на зразок TLC або 3D MLC.

— TLC. Еволюція технології MLC. Один елемент флеш-пам'яті Triple Level Cell може зберігати 3 біта інформації. Подібна щільність запису дещо збільшує ймовірність виникнення помилок в порівнянні з MLC, крім того, TLC-пам'ять вважається менш довговічною. Позитивною рисою характеру даної технології є доступна вартість, а для підвищення надійності в SSD-накопичувачах з TLC-пам'яттю можуть застосовуватися різні конструктивні хитрощі.

— 3D NAND. У структурі 3D NAND кілька шарів комірок пам'яті розміщуються вертикально, а між ними організовані взаємозв'язки. Завдяки цьому забезпечується велика ємність сховища без нарощування фізичних розмірів накопичувача та підвищується продуктивність роботи пам'яті за рахунок більш коротких з'єднань кожної комірки пам'яті. У SSD-накопичувачах пам'ять 3D NAND може викор...истовувати чипи MLC, TLC або QLC - докладніше про них повідомлено у відповідних пунктах.

— 3D MLC NAND. MLC-пам'ять багатошарової структури – її комірки розміщуються на платі не в один рівень, а в кілька «поверхів». Як результат, виробники досягли підвищення місткості накопичувачів без помітного збільшення габаритів. Також для пам'яті 3D MLC NAND характерні більш високі показники надійності, ніж в оригінальній MLC (див. відповідний пункт), при меншій вартості виробництва.

— 3D TLC NAND. «Тривимірна» модифікація технології TLC (див. відповідний пункт) з розміщенням комірок пам'яті на платі в кілька шарів. Подібне компонування дає змогу досягти більш високої ємності при менших розмірах самих накопичувачів. У виробництві така пам'ять простіше і дешевше одношарової.

— 3D QLC NAND. Тип-флеш пам'яті з чотирирівневими осередками (Quad Level Cell), що передбачає по 4 біта даних в кожній клітині. Технологія покликана зробити SSD з великими об'ємами масово доступними і остаточно відправити традиційні HDD у відставку. У конфігурації 3D QLC NAND пам'ять будується за «багатоповерховою» схемою з розміщенням комірок на платі в кілька шарів. «Тривимірна» структура здешевлює виробництво модулів пам'яті і дає змогу збільшити об'єм накопичувачів без шкоди для їх масогабаритної складової.

— 3D XPoint. Принципово новий тип пам'яті, що кардинально відрізняється від традиційного NAND. У таких накопичувачах комірки пам'яті і селектори розташовуються на перетинах перпендикулярних рядів провідних доріжок. Механізм запису інформації в комірки базується на зміні опору матеріалу без використання транзисторів. Пам'ять 3D XPoint є простою і недорогою у виробництві, до того ж вона забезпечує набагато більш високі показники швидкості і довговічності. Приставка «3D» в назві технології свідчить про те, що комірки на кристалі розміщуються в кілька шарів. Перше покоління 3D XPoint отримало двошарову структуру і виконане по 20-нанометровому техпроцесу.

Підтримка накопичувачем технології NVMe.

NVMe являє собою протокол обміну даними, розроблений спеціально для SSD-модулів і застосовуваний при підключенні по шині PCI-E. Цей протокол був розроблений для усунення недоліків, характерних для більш ранніх стандартів підключення (зразок SCSI або SATA) — насамперед невисокій швидкості, не дозволяла реалізувати всі можливості твердотільної пам'яті. NVMe враховує ключові переваги SSD — незалежний доступ, багатопотоковість і низькі затримки. Підтримка цього протоколу вбудована в усі основні сучасні операційні системи, він працює не тільки через оригінальний інтерфейс PCIe, але і через M. 2 (див. «Форм-фактор»). А роз'єм U. 2 взагалі був створений спеціально для SSD-накопичувачів з NVMe (хоча наявність цього роз'єми саме по собі ще не означає сумісності з даним протоколом).

Гарантія виробника, передбачена для даної моделі.

Фактично це мінімальний термін служби, обіцяний виробником за умови дотримання правил експлуатації. Найчастіше фактичний термін служби пристрою виявляється помітно довше гарантованого. Однак варто враховувати, що гарантія нерідко передбачає додаткові умови — наприклад, «[стільки-то років] або до вичерпання TBW» (докладніше про TBW див. вище).

Конкретні терміни гарантії можуть бути різними навіть у схожих накопичувачів одного виробника. Найпопулярніші варіанти — 3 роки і 5 років, однак зустрічаються й інші цифри — до 10 років у найбільш дорогих і висококласних моделях.

Шифрування даних забезпечує безпеку зберігання інформації на диску: доступ до зашифрованої інформації може отримати лише той, хто знає пароль. Модуль шифрування є складовою накопичувача і залежить від комп'ютера, до якого той підключений. Можливість шифрування даних критична у разі, якщо на диски планується записувати конфіденційну інформацію; ця функція особливо корисна для переносних накопичувачів і дисків для ноутбуків, які більше схильні до ризику крадіжки, ніж стаціонарні системи та їх складові.

Тип кабелю, яким укомплектований накопичувач.

Цей параметр актуальне виключно для зовнішніх моделей (див. «Тип»). Тип кабелю вказується за типами конекторів на його кінцях, при цьому першим вказується штекер для підключення до накопичувача, другим — для підключення до комп'ютера. Конкретні види конекторів можуть бути такими:

— USB А. Штекер під традиційні повнорозмірні порти USB — такі, як передбачаються в більшості комп'ютерів і ноутбуків. Власне, такий штекер застосовується тільки на «комп'ютерному» кінці кабелю — для самих накопичувачів роз'єми USB-A занадто громіздкі.

— USB-C. Найбільш новий з сучасних роз'ємів USB. На відміну від попередників має двосторонню конструкцію — штекер може вставлятися в роз'єм будь-якою стороною. Досить компактний, завдяки чому цілком підходить для установки в корпус накопичувача; однак зустрічається і в комп'ютерах/ноутбуках, так що штекери USB-C можуть передбачатися як з одного, так і з обох боків кабелю.

— Micro B. Штекер під роз'єм типу microUSB; такий роз'єм багатьом знайомий з портативних гаджетів на зразок смартфонів і планшетів, зустрічається він і в SSD-накопичувачах. Власне, штекер micro B передбачається тільки з боку накопичувача — в комп'ютерах роз'єм практично не зустрічається.

— MiniUSB. Ще одна зменшена версія USB-штекера, багато в чому аналогічна описаним вище micro B. В наш час вважається застарілою і практично вийшла з ужитку.

Найпоширенішими варіантами комплектних...кабелів є USB-C – USB-A, USB-C – C USB, micro B – USB-A і mini USB – USB-A. Деякі накопичувачі, що мають роз'єм USB-C, оснащуються відразу двома типами дроту — з USB-C і USB-A на «комп'ютерному» наприкінці.

Наявність у накопичувачі посиленого захисту від ударів і струсів.

SSD-модулі самі по собі досить стійкі до ударів; ця ж особливість вказується в тому випадку, якщо накопичувач спеціально посилений в розрахунку на те, щоб максимально протистояти падінь і інших «неприємностей». Ударостійкий корпус актуальне насамперед для зовнішніх моделей (див. «Тип»).

Рівень захисту дає можливість зрозуміти наскільки добре пристрій захищений від впливу пилу й вологи. Досягається це завдяки герметичності корпусу, додаткових гумових прокладок і природно відображається в цифрах — наприклад, IP67 (такий рівень захисту говорить про водонепроникність SSD). Перша цифра означає захист від пилу, а друга повідомляє про рівень захисту від вологи. Тепер детальніше про можливі варіанти.

Захист від пилу:
5 — стійкість до пилу (пил може потрапити всередину в незначній кількості, що не впливає на роботу апарата);
6 — захист від пилу (пил не проникає всередину).

Захист від вологи:
5 — захист від водяних струменів з будь-якого напрямку (зливи, бурі).
7 — можливість короткочасного занурення під воду на незначну глибину (до 1 м).
8 — можливість тривалого (30 хв і більше) занурення на глибину більш ніж 1 м. Але конкретні обмеження щодо глибини й часу можуть бути різними.