Польща
Каталог   /   Комп'ютерна техніка   /   Комплектуючі   /   SSD-накопичувачі

Порівняння Samsung 970 EVO Plus M.2 MZ-V7S500BW 500 ГБ vs Samsung 970 PRO M.2 MZ-V7P512BW 512 ГБ

Додати до порівняння
Samsung 970 EVO Plus M.2 MZ-V7S500BW 500 ГБ
Samsung 970 PRO M.2 MZ-V7P512BW 512 ГБ
Samsung 970 EVO Plus M.2 MZ-V7S500BW 500 ГБSamsung 970 PRO M.2 MZ-V7P512BW 512 ГБ
Порівняти ціни 9
від 568 zł
Товар застарів
Відгуки
ТОП продавці
Типвнутрішнійвнутрішній
Об'єм500 ГБ512 ГБ
Форм-факторM.2M.2
Інтерфейс M.2PCI-E 3.0 4xPCI-E 3.0 4x
Технічні хар-ки
КонтролерSamsung PhoenixSamsung Phoenix
Буферна пам'ять512 МБ512 МБ
Тип пам’яті
3D TLC NAND /96-шаровий (3-bit MLC)/
3D MLC NAND
NVMe
 /1.3/
Зовнішня швидкість запису3200 МБ/с2300 МБ/с
Зовнішня швидкість зчитування3500 МБ/с3500 МБ/с
Ударостійкість під час роботи1500 G1500 G
Напрацювання на відмову1.5 млн. год1.5 млн. год
IOPS запису550 тис500 тис
IOPS зчитування480 тис370 тис
TBW300 ТБ600 ТБ
DWPD0.3 разів/день0.7 разів/день
Гарантія виробника5 років5 років
Інше
TRIM
Шифрування даних
Розміри22x80 мм22x80 мм
Вага8 г8 г
Колір корпусу
Дата додавання на E-Katalogсічень 2019квітень 2018

Об'єм

Номінальна ємність накопичувача. Цей параметр безпосередньо визначає не тільки кількість даних, яка може поміститися на пристрій, але і його вартість; багато моделей SSD навіть випускаються в декількох версіях, що розрізняються по місткості. Тому при виборі варто враховувати реальні потреби та особливості застосування — інакше можна переплатити значну суму за не потрібні на практиці об'єми.

Що стосується фактичних значень, то ємність 120 ГБ і нижче в наш час вважається невеликою. Сюди ж можна прирівняти і SSD на 240 ГБ. Середніми значення вже вважаються 500 ГБ, підвищеними - 1 ТБ (в діапазон до яких потрапляють SSD на 400 і 800 ГБ). А найбільш ємні сучасні SSD вміщають 2 TБ, 4 TБ і навіть більше.

Тип пам’яті

Тип основної пам'яті накопичувача визначає особливості розподілу інформації по апаратних комірках і фізичні особливості самих комірок.

MLC. Пам'ять Multi Level Cell на основі багатоярусних комірок, кожна з яких містить кілька рівнів сигналу. В осередках пам'яті MLC зберігається по 2 біта інформації. Має оптимальні показники надійності, енергоспоживання і продуктивності. До недавніх пір технологія була популярна в SSD-модулях початкового і середнього рівня, зараз вона поступово витісняється більше досконалими варіантами на зразок TLC або 3D MLC.

TLC. Еволюція технології MLC. Один елемент флеш-пам'яті Triple Level Cell може зберігати 3 біта інформації. Подібна щільність запису дещо збільшує ймовірність виникнення помилок в порівнянні з MLC, крім того, TLC-пам'ять вважається менш довговічною. Позитивною рисою характеру даної технології є доступна вартість, а для підвищення надійності в SSD-накопичувачах з TLC-пам'яттю можуть застосовуватися різні конструктивні хитрощі.

3D NAND. У структурі 3D NAND кілька шарів комірок пам'яті розміщуються вертикально, а між ними організовані взаємозв'язки. Завдяки цьому забезпечується велика ємність сховища без нарощування фізичних розмірів накопичувача та підвищується продуктивність роботи пам'яті за рахунок більш коротких з'єднань кожної комірки пам'яті. У SSD-накопичувачах пам'ять 3D NAND може викор...истовувати чипи MLC, TLC або QLC - докладніше про них повідомлено у відповідних пунктах.

3D MLC NAND. MLC-пам'ять багатошарової структури – її комірки розміщуються на платі не в один рівень, а в кілька «поверхів». Як результат, виробники досягли підвищення місткості накопичувачів без помітного збільшення габаритів. Також для пам'яті 3D MLC NAND характерні більш високі показники надійності, ніж в оригінальній MLC (див. відповідний пункт), при меншій вартості виробництва.

3D TLC NAND. «Тривимірна» модифікація технології TLC (див. відповідний пункт) з розміщенням комірок пам'яті на платі в кілька шарів. Подібне компонування дає змогу досягти більш високої ємності при менших розмірах самих накопичувачів. У виробництві така пам'ять простіше і дешевше одношарової.

3D QLC NAND. Тип-флеш пам'яті з чотирирівневими осередками (Quad Level Cell), що передбачає по 4 біта даних в кожній клітині. Технологія покликана зробити SSD з великими об'ємами масово доступними і остаточно відправити традиційні HDD у відставку. У конфігурації 3D QLC NAND пам'ять будується за «багатоповерховою» схемою з розміщенням комірок на платі в кілька шарів. «Тривимірна» структура здешевлює виробництво модулів пам'яті і дає змогу збільшити об'єм накопичувачів без шкоди для їх масогабаритної складової.

3D XPoint. Принципово новий тип пам'яті, що кардинально відрізняється від традиційного NAND. У таких накопичувачах комірки пам'яті і селектори розташовуються на перетинах перпендикулярних рядів провідних доріжок. Механізм запису інформації в комірки базується на зміні опору матеріалу без використання транзисторів. Пам'ять 3D XPoint є простою і недорогою у виробництві, до того ж вона забезпечує набагато більш високі показники швидкості і довговічності. Приставка «3D» в назві технології свідчить про те, що комірки на кристалі розміщуються в кілька шарів. Перше покоління 3D XPoint отримало двошарову структуру і виконане по 20-нанометровому техпроцесу.

Зовнішня швидкість запису

Найбільша швидкість в режимі запису характеризує швидкість, з якою модуль може приймати інформацію з підключеного комп'ютера (або іншого зовнішнього пристрою). Ця швидкість обмежується як інтерфейс підключення (див. «Роз'єм»), так і особливостями будови самого SSD.

IOPS запису

Показник IOPS, забезпечуваний накопичувачем в режимі запису.

Терміном IOPS позначають найбільша кількість операцій вводу-виводу, що SSD-модуль може зробити за секунду, в даному випадку — при запису даних. За цим показником часто оцінюють швидкодія накопичувача; однак це далеко не завжди вірно. По-перше, значення IOPS у різних виробників можуть замірятися по-різному — по максимальному значенню, по середньому, за довільного запису, за послідовного запису і т. ін. По-друге, переваги високих IOPS стають помітними лише при деяких специфічних операціях, зокрема одночасному копіюванні великої кількості файлів. Крім того, на практиці швидкість роботи накопичувача може обмежуватися системою, до якої він підключений. У світлі всього цього порівнювати з IOPS різні SSD-модулі загалом допускається, однак реальна різниця у швидкодії, швидше за все, буде не така помітна, як різниця в цифрах.

Що стосується конкретних значень, то для режиму запису з IOPS до 50 тис. вважається порівняно скромним, 50 – 100 тис. — середнім, понад 100 тис. — високим.

IOPS зчитування

Показник IOPS, забезпечуваний накопичувачем в режимі зчитування.

Терміном IOPS позначають найбільша кількість операцій вводу-виводу, що SSD-модуль може зробити за секунду, в даному випадку — при читанні даних з нього. По цьому показнику часто оцінюють швидкодія накопичувача; однак це далеко не завжди вірно. По-перше, значення IOPS у різних виробників можуть замірятися по-різному — по максимальному значенню, по середньому і т. ін. По-друге, переваги високих IOPS стають помітними лише при деяких специфічних операціях, зокрема одночасному копіюванні великої кількості файлів. Крім того, на практиці швидкість роботи накопичувача може обмежуватися системою, до якої він підключений. У світлі всього цього порівнювати з IOPS різні SSD-модулі загалом допускається, однак реальна різниця у швидкодії, швидше за все, буде не така помітна, як різниця в цифрах.

Для сучасних SSD в режимі читання значення IOPS менше 50 тис. вважається досить скромним показником, у більшості моделей цей параметр лежить в межах 50 – 100 тис., однак зустрічаються і більш високі цифри.

TBW

Абревіатурою TBW позначають напрацювання накопичувача на відмову, виражену в терабайтах. Іншими словами, це загальна кількість інформації, яке гарантовано може бути записано (перезаписаний) на даний модуль. Даний показник дозволяє оцінити загальну надійність і термін служби накопичувача — чим вище TBW, тим довше прослужить пристрій, за інших рівних умов.

Зазначимо, що знаючи TBW і термін гарантії, можна обчислити кількість перезаписів в день (DWPD, див. відповідний пункт), якщо виробник не вказав цих даних. Для цього потрібно скористатися формулою: DWPD = TBW /(V*T*365), де V — ємність накопичувача в терабайтах, T — термін гарантії (років). Що ж до конкретних цифр, то на ринку чимало накопичувачів з відносно невисоким TBW — до 100 ТБ; навіть таких значень нерідко виявляється достатньо для повсякденного використання протягом значного часу. Втім, частіше зустрічаються моделі з TBW на рівні 100 – 500 ТБ. Значення в 500 – 1000 ТБ можна віднести до категорії «вище середньої», а в найбільш надійних рішеннях цей показник ще вище.

DWPD

Кількість повних перезаписів в день, допускається конструкцією накопичувача, іншими словами — скільки разів на день можна гарантовано перезаписувати накопичувач цілком, не боячись помилок.

Даний параметр описує загальну надійність і довговічність накопичувача. За змістом він схожий з TBW (див. відповідний пункт), одну величину навіть можна перевести в іншу, знаючи термін гарантії: TBW = DWPD*V*T*365, де V — об'єм накопичувача в терабайтах, а T — термін гарантії у роках. Тим не менш, DWPD є дещо специфічним показником: він описує не тільки загальну напрацювання на відмову, але ще й обмеження за кількістю перезаписів за день; при перевищенні даного обмеження накопичувач може вийти з ладу раніше, ніж зазначено у гарантії. Втім, навіть невеликі значення DWPD — 0,5 – 1 раз в день, а то й менше 0,5 раз в день — нерідко виявляються достатніми не тільки для нескладного повсякденного використання, але навіть для професійних завдань. Більш високі показники — 1 – 2 рази на день або більше — зустрічаються рідко; водночас це можуть бути як професійні, так і бюджетні SSD-модулі.
Динаміка цін
Samsung 970 EVO Plus M.2 часто порівнюють
Samsung 970 PRO M.2 часто порівнюють