Порівняння Crucial P3 CT1000P3SSD8 1 ТБ vs Samsung 980 NVMe M.2 MZ-V8V1T0BW 1 ТБ

Модель контролера, встановленого в SSD-накопичувачі.

Контролер являє собою управляючу схему, яка, власне, і забезпечує обмін інформацією між комірками пам'яті та комп'ютером, до якої підключений накопичувач. Можливості того чи іншого SSD-модуля (зокрема, швидкість читання і запису) багато в чому залежать саме від цієї схеми. Знаючи модель контролера, можна знайти детальні дані по ньому і оцінити можливості накопичувача. Для нескладного повсякденного використання ця інформація, зазвичай, не потрібна, але ось професіоналам і ентузіастам (моддерам, оверклокерам) вона може стати в нагоді.

В наш час висококласні контролери випускаються переважно під такими брендами: InnoGrit, Maxio, Phison, Realtek, Silicon Motion, Samsung.

Тип основної пам'яті накопичувача визначає особливості розподілу інформації по апаратних комірках і фізичні особливості самих комірок.

— MLC. Пам'ять Multi Level Cell на основі багатоярусних комірок, кожна з яких містить кілька рівнів сигналу. В осередках пам'яті MLC зберігається по 2 біта інформації. Має оптимальні показники надійності, енергоспоживання і продуктивності. До недавніх пір технологія була популярна в SSD-модулях початкового і середнього рівня, зараз вона поступово витісняється більше досконалими варіантами на зразок TLC або 3D MLC.

— TLC. Еволюція технології MLC. Один елемент флеш-пам'яті Triple Level Cell може зберігати 3 біта інформації. Подібна щільність запису дещо збільшує ймовірність виникнення помилок в порівнянні з MLC, крім того, TLC-пам'ять вважається менш довговічною. Позитивною рисою характеру даної технології є доступна вартість, а для підвищення надійності в SSD-накопичувачах з TLC-пам'яттю можуть застосовуватися різні конструктивні хитрощі.

— 3D NAND. У структурі 3D NAND кілька шарів комірок пам'яті розміщуються вертикально, а між ними організовані взаємозв'язки. Завдяки цьому забезпечується велика ємність сховища без нарощування фізичних розмірів накопичувача та підвищується продуктивність роботи пам'яті за рахунок більш коротких з'єднань кожної комірки пам'яті. У SSD-накопичувачах пам'ять 3D NAND може викор...истовувати чипи MLC, TLC або QLC - докладніше про них повідомлено у відповідних пунктах.

— 3D MLC NAND. MLC-пам'ять багатошарової структури – її комірки розміщуються на платі не в один рівень, а в кілька «поверхів». Як результат, виробники досягли підвищення місткості накопичувачів без помітного збільшення габаритів. Також для пам'яті 3D MLC NAND характерні більш високі показники надійності, ніж в оригінальній MLC (див. відповідний пункт), при меншій вартості виробництва.

— 3D TLC NAND. «Тривимірна» модифікація технології TLC (див. відповідний пункт) з розміщенням комірок пам'яті на платі в кілька шарів. Подібне компонування дає змогу досягти більш високої ємності при менших розмірах самих накопичувачів. У виробництві така пам'ять простіше і дешевше одношарової.

— 3D QLC NAND. Тип-флеш пам'яті з чотирирівневими осередками (Quad Level Cell), що передбачає по 4 біта даних в кожній клітині. Технологія покликана зробити SSD з великими об'ємами масово доступними і остаточно відправити традиційні HDD у відставку. У конфігурації 3D QLC NAND пам'ять будується за «багатоповерховою» схемою з розміщенням комірок на платі в кілька шарів. «Тривимірна» структура здешевлює виробництво модулів пам'яті і дає змогу збільшити об'єм накопичувачів без шкоди для їх масогабаритної складової.

— 3D XPoint. Принципово новий тип пам'яті, що кардинально відрізняється від традиційного NAND. У таких накопичувачах комірки пам'яті і селектори розташовуються на перетинах перпендикулярних рядів провідних доріжок. Механізм запису інформації в комірки базується на зміні опору матеріалу без використання транзисторів. Пам'ять 3D XPoint є простою і недорогою у виробництві, до того ж вона забезпечує набагато більш високі показники швидкості і довговічності. Приставка «3D» в назві технології свідчить про те, що комірки на кристалі розміщуються в кілька шарів. Перше покоління 3D XPoint отримало двошарову структуру і виконане по 20-нанометровому техпроцесу.

Параметр, що визначає стійкість накопичувача до ударів і струсів в процесі роботи. Вимірюється в G — одиницях перевантаження, 1 G відповідає звичайній силі земного тяжіння. Чим вище число G — тим більш стійко пристрій до різного роду струсів і тим менша ймовірність пошкодження даних у ньому, скажімо, у випадку падіння. Цей параметр особливо важливий для зовнішніх накопичувачів (див. Тип).

Час напрацювання накопичувача на відмову — час, який він здатний безперервно працювати без збоїв і неполадок; іншими словами — час роботи, після закінчення якого з'являється висока ймовірність появи помилок, а то і виходу модуля з ладу.

Зазвичай, в характеристиках вказується деякий середній час, виведене за результатами умовного тестування. Тому фактичне значення цього параметра може відрізнятися від заявленого в ту чи іншу сторону; однак на практиці цього момент не є особливо значущим. Річ у тім, що для сучасних SSD час напрацювання на відмову обчислюється мільйонами годин, а 1 млн годин відповідає більш ніж 110 років — при цьому мова йде саме про чисте часу роботи. Так що з практичної сторони довговічність накопичувача частіше обмежується більш специфічними параметрами — TBW і DPWD (див. нижче); а гарантія виробника взагалі не перевищує декількох років. Втім, дані з напрацювання на відмову в годинах можуть також стати в нагоді при виборі: за інших рівних умов більший час означає більшу надійність та довговічність SSD загалом.

Показник IOPS, забезпечуваний накопичувачем в режимі запису.

Терміном IOPS позначають найбільша кількість операцій вводу-виводу, що SSD-модуль може зробити за секунду, в даному випадку — при запису даних. За цим показником часто оцінюють швидкодія накопичувача; однак це далеко не завжди вірно. По-перше, значення IOPS у різних виробників можуть замірятися по-різному — по максимальному значенню, по середньому, за довільного запису, за послідовного запису і т. ін. По-друге, переваги високих IOPS стають помітними лише при деяких специфічних операціях, зокрема одночасному копіюванні великої кількості файлів. Крім того, на практиці швидкість роботи накопичувача може обмежуватися системою, до якої він підключений. У світлі всього цього порівнювати з IOPS різні SSD-модулі загалом допускається, однак реальна різниця у швидкодії, швидше за все, буде не така помітна, як різниця в цифрах.

Що стосується конкретних значень, то для режиму запису з IOPS до 50 тис. вважається порівняно скромним, 50 – 100 тис. — середнім, понад 100 тис. — високим.

Показник IOPS, забезпечуваний накопичувачем в режимі зчитування.

Терміном IOPS позначають найбільша кількість операцій вводу-виводу, що SSD-модуль може зробити за секунду, в даному випадку — при читанні даних з нього. По цьому показнику часто оцінюють швидкодія накопичувача; однак це далеко не завжди вірно. По-перше, значення IOPS у різних виробників можуть замірятися по-різному — по максимальному значенню, по середньому і т. ін. По-друге, переваги високих IOPS стають помітними лише при деяких специфічних операціях, зокрема одночасному копіюванні великої кількості файлів. Крім того, на практиці швидкість роботи накопичувача може обмежуватися системою, до якої він підключений. У світлі всього цього порівнювати з IOPS різні SSD-модулі загалом допускається, однак реальна різниця у швидкодії, швидше за все, буде не така помітна, як різниця в цифрах.

Для сучасних SSD в режимі читання значення IOPS менше 50 тис. вважається досить скромним показником, у більшості моделей цей параметр лежить в межах 50 – 100 тис., однак зустрічаються і більш високі цифри.

Абревіатурою TBW позначають напрацювання накопичувача на відмову, виражену в терабайтах. Іншими словами, це загальна кількість інформації, яке гарантовано може бути записано (перезаписаний) на даний модуль. Даний показник дозволяє оцінити загальну надійність і термін служби накопичувача — чим вище TBW, тим довше прослужить пристрій, за інших рівних умов.

Зазначимо, що знаючи TBW і термін гарантії, можна обчислити кількість перезаписів в день (DWPD, див. відповідний пункт), якщо виробник не вказав цих даних. Для цього потрібно скористатися формулою: DWPD = TBW /(V*T*365), де V — ємність накопичувача в терабайтах, T — термін гарантії (років). Що ж до конкретних цифр, то на ринку чимало накопичувачів з відносно невисоким TBW — до 100 ТБ; навіть таких значень нерідко виявляється достатньо для повсякденного використання протягом значного часу. Втім, частіше зустрічаються моделі з TBW на рівні 100 – 500 ТБ. Значення в 500 – 1000 ТБ можна віднести до категорії «вище середньої», а в найбільш надійних рішеннях цей показник ще вище.

Кількість повних перезаписів в день, допускається конструкцією накопичувача, іншими словами — скільки разів на день можна гарантовано перезаписувати накопичувач цілком, не боячись помилок.

Даний параметр описує загальну надійність і довговічність накопичувача. За змістом він схожий з TBW (див. відповідний пункт), одну величину навіть можна перевести в іншу, знаючи термін гарантії: TBW = DWPD*V*T*365, де V — об'єм накопичувача в терабайтах, а T — термін гарантії у роках. Тим не менш, DWPD є дещо специфічним показником: він описує не тільки загальну напрацювання на відмову, але ще й обмеження за кількістю перезаписів за день; при перевищенні даного обмеження накопичувач може вийти з ладу раніше, ніж зазначено у гарантії. Втім, навіть невеликі значення DWPD — 0,5 – 1 раз в день, а то й менше 0,5 раз в день — нерідко виявляються достатніми не тільки для нескладного повсякденного використання, але навіть для професійних завдань. Більш високі показники — 1 – 2 рази на день або більше — зустрічаються рідко; водночас це можуть бути як професійні, так і бюджетні SSD-модулі.

Підтримка модулем команди TRIM.

Особливість роботи SSD-модулів полягає в тому, що при видаленні даних у звичайному режимі (без використання TRIM) зміни вносяться тільки до «зміст» накопичувача: певні комірки позначаються як порожні і готові до запису нової інформації. Проте стара інформація з них не видаляється, і при запису нових даних доводиться фактично здійснювати перезапис — від цього помітно падає швидкість роботи. Команда TRIM покликана виправити ситуацію: при її вступі контролер накопичувача перевіряє, чи є порожніми клітинки, позначені як порожні, і при необхідності очищає їх.

Зрозуміло, ця функція має підтримуватися не тільки накопичувачем, але і системою, однак можливість роботи з TRIM вбудована в більшість популярних сучасних ОС.