Тип пам’яті
Тип основної пам'яті накопичувача визначає особливості розподілу інформації по апаратних комірках і фізичні особливості самих комірок.
—
MLC. Пам'ять Multi Level Cell на основі багатоярусних комірок, кожна з яких містить кілька рівнів сигналу. В осередках пам'яті MLC зберігається по 2 біта інформації. Має оптимальні показники надійності, енергоспоживання і продуктивності. До недавніх пір технологія була популярна в SSD-модулях початкового і середнього рівня, зараз вона поступово витісняється більше досконалими варіантами на зразок TLC або 3D MLC.
—
TLC. Еволюція технології MLC. Один елемент флеш-пам'яті Triple Level Cell може зберігати 3 біта інформації. Подібна щільність запису дещо збільшує ймовірність виникнення помилок в порівнянні з MLC, крім того, TLC-пам'ять вважається менш довговічною. Позитивною рисою характеру даної технології є доступна вартість, а для підвищення надійності в SSD-накопичувачах з TLC-пам'яттю можуть застосовуватися різні конструктивні хитрощі.
—
3D NAND. У структурі 3D NAND кілька шарів комірок пам'яті розміщуються вертикально, а між ними організовані взаємозв'язки. Завдяки цьому забезпечується велика ємність сховища без нарощування фізичних розмірів накопичувача та підвищується продуктивність роботи пам'яті за рахунок більш коротких з'єднань кожної комірки пам'яті. У SSD-накопичувачах пам'ять 3D NAND може викор
...истовувати чипи MLC, TLC або QLC - докладніше про них повідомлено у відповідних пунктах.
— 3D MLC NAND. MLC-пам'ять багатошарової структури – її комірки розміщуються на платі не в один рівень, а в кілька «поверхів». Як результат, виробники досягли підвищення місткості накопичувачів без помітного збільшення габаритів. Також для пам'яті 3D MLC NAND характерні більш високі показники надійності, ніж в оригінальній MLC (див. відповідний пункт), при меншій вартості виробництва.
— 3D TLC NAND. «Тривимірна» модифікація технології TLC (див. відповідний пункт) з розміщенням комірок пам'яті на платі в кілька шарів. Подібне компонування дає змогу досягти більш високої ємності при менших розмірах самих накопичувачів. У виробництві така пам'ять простіше і дешевше одношарової.
— 3D QLC NAND. Тип-флеш пам'яті з чотирирівневими осередками (Quad Level Cell), що передбачає по 4 біта даних в кожній клітині. Технологія покликана зробити SSD з великими об'ємами масово доступними і остаточно відправити традиційні HDD у відставку. У конфігурації 3D QLC NAND пам'ять будується за «багатоповерховою» схемою з розміщенням комірок на платі в кілька шарів. «Тривимірна» структура здешевлює виробництво модулів пам'яті і дає змогу збільшити об'єм накопичувачів без шкоди для їх масогабаритної складової.
— 3D XPoint. Принципово новий тип пам'яті, що кардинально відрізняється від традиційного NAND. У таких накопичувачах комірки пам'яті і селектори розташовуються на перетинах перпендикулярних рядів провідних доріжок. Механізм запису інформації в комірки базується на зміні опору матеріалу без використання транзисторів. Пам'ять 3D XPoint є простою і недорогою у виробництві, до того ж вона забезпечує набагато більш високі показники швидкості і довговічності. Приставка «3D» в назві технології свідчить про те, що комірки на кристалі розміщуються в кілька шарів. Перше покоління 3D XPoint отримало двошарову структуру і виконане по 20-нанометровому техпроцесу.Комплектний кабель
Тип кабелю, яким укомплектований накопичувач.
Цей параметр актуальне виключно для зовнішніх моделей (див. «Тип»). Тип кабелю вказується за типами конекторів на його кінцях, при цьому першим вказується штекер для підключення до накопичувача, другим — для підключення до комп'ютера. Конкретні види конекторів можуть бути такими:
— USB А. Штекер під традиційні повнорозмірні порти USB — такі, як передбачаються в більшості комп'ютерів і ноутбуків. Власне, такий штекер застосовується тільки на «комп'ютерному» кінці кабелю — для самих накопичувачів роз'єми USB-A занадто громіздкі.
— USB-C. Найбільш новий з сучасних роз'ємів USB. На відміну від попередників має двосторонню конструкцію — штекер може вставлятися в роз'єм будь-якою стороною. Досить компактний, завдяки чому цілком підходить для установки в корпус накопичувача; однак зустрічається і в комп'ютерах/ноутбуках, так що штекери USB-C можуть передбачатися як з одного, так і з обох боків кабелю.
— Micro B. Штекер під роз'єм типу microUSB; такий роз'єм багатьом знайомий з портативних гаджетів на зразок смартфонів і планшетів, зустрічається він і в SSD-накопичувачах. Власне, штекер micro B передбачається тільки з боку накопичувача — в комп'ютерах роз'єм практично не зустрічається.
— MiniUSB. Ще одна зменшена версія USB-штекера, багато в чому аналогічна описаним вище micro B. В наш час вважається застарілою і практично вийшла з ужитку.
Найпоширенішими варіантами комплектних
...кабелів є USB-C – USB-A, USB-C – C USB, micro B – USB-A і mini USB – USB-A. Деякі накопичувачі, що мають роз'єм USB-C, оснащуються відразу двома типами дроту — з USB-C і USB-A на «комп'ютерному» наприкінці.Рівень захисту (IP)
Рівень захисту дає можливість зрозуміти наскільки добре пристрій захищений від впливу пилу й вологи. Досягається це завдяки герметичності корпусу, додаткових гумових прокладок і природно відображається в цифрах — наприклад, IP67 (такий рівень захисту говорить про
водонепроникність SSD). Перша цифра означає захист від пилу, а друга повідомляє про рівень захисту від вологи. Тепер детальніше про можливі варіанти.
Захист від пилу:
5 — стійкість до пилу (пил може потрапити всередину в незначній кількості, що не впливає на роботу апарата);
6 — захист від пилу (пил не проникає всередину).
Захист від вологи:
5 — захист від водяних струменів з будь-якого напрямку (зливи, бурі).
7 — можливість короткочасного занурення під воду на незначну глибину (до 1 м).
8 — можливість тривалого (30 хв і більше) занурення на глибину більш ніж 1 м. Але конкретні обмеження щодо глибини й часу можуть бути різними.
