Porównanie Crucial Value DDR4 1x8Gb CT8G4DFD8213 vs AMD Entertainment Edition DDR3 1x4Gb AE34G1601U1-U

 

Rodzaj pamięci używanej w module (modułach). Parametr ten bezpośrednio określa kompatybilność z płytą główną: ta ostatnia musi obsługiwać ten sam rodzaj pamięci, do której należy kostka, ponieważ różne typy nie są ze sobą kompatybilne. Na dzień dzisiejszy konkretne warianty mogą być następujące: przestarzała, ale jeszcze gdzieś wykorzystywana pamięć DDR2, przechodząca do historii DDR3, współczesna DDR4 oraz nowa DDR5.

— DDR2. Druga generacja pamięci RAM z podwojoną prędkością przesyłu, wydana w 2003 roku. Dziś taka pamięć jest prawie całkowicie wyparta przez bardziej zaawansowane standardy DDR3 i DDR4, a obsługę DDR2 można znaleźć tylko w przestarzałym komputerze stacjonarnym lub laptopie.

- DDR3. Trzecia generacja pamięci RAM z podwojoną prędkością przesyłu, wydana w 2007 roku. W porównaniu do DDR2 ma wyższą prędkość działania i mniejsze zużycie energii. Ten standard jest stopniowo zastępowany przez DDR4, lecz obsługa DDR3 wciąż występuje w stosunkowo prostych i niedrogich płytach głównych.

- DDR4. Dalszy rozwój standardu DDR, który w 2014 roku zastąpił DDR3. Zapewnia w szczególności wzrost przepustowości (w przyszłości nawet do 25,6 GB/s) oraz niezawodność przy jednoczesnym zmniejszeniu zużycia energii.

- DDR5. Marsz piątej generacji standardu DDR rozpoczął się na przełomie lat 2020-2021. Zap...ewnia około 2x większą wydajność podsystemu pamięci i wzrost przepustowości w porównaniu z DDR4. Zamiast jednego 64-bitowego kanału danych, DDR5 używa pary niezależnych kanałów 32-bitowych, które działają z 16-bajtowymi pakietami i umożliwiają dostarczanie 64 bajtów informacji za takt w każdym kanale. Nowe moduły pamięci wymagają napięcia 1,1 V, a maksymalna pojemność jednej kostki DDR5 może osiągnąć imponujące 128 GB.

Liczba ranków, przewidziana w kości pamięci.

Rankiem w tym przypadku nazywany jest jeden moduł logiczny - zestaw mikroukładów o łącznej bitowości 64 bity. Jeżeli istnieje więcej niż jeden rank, oznacza to, że na jednym fizycznym module zaimplementowanych jest kilka modułów logicznych, które naprzemiennie wykorzystują kanał transmisji danych. Podobna konfiguracja jest używana w celu uzyskania dużej ilości pamięci RAM przy ograniczonej liczbie gniazd na poszczególne kości. Jednocześnie należy powiedzieć, że w przypadku komputerów domowych rank pamięci można zignorować - a dokładniej, wystarczą im moduły jednostronne. Lecz w przypadku serwerów i wydajnych stacji roboczych dostępne są rozwiązania dwu-, cztero-, a nawet ośmiostronne.

Zwróć uwagę, że przy ceteris paribus, większa liczba ranków pozwala na osiągnięcie dużych pojemności, jednak wymaga większej mocy obliczeniowej i zwiększa obciążenie systemu.

Częstotliwość taktowania modułu RAM.

Im wyższy ten wskaźnik, tym szybciej pracuje pamięć RAM, przy innych parametrach równych, tym wyższa jest jej wydajność w grach i innych aplikacjach wymagających dużej ilości zasobów. Z drugiej strony wysoka częstotliwość taktowania ma odpowiedni wpływ na koszt. Dodatkowo, aby wykorzystać wszystkie możliwości pamięci, płyta główna, do której podłączony jest moduł, musi obsługiwać odpowiednią częstotliwość.

Najpopularniejsze są moduły o częstotliwości 3200 i 3600 MHz - są to uniwersalne konie robocze. Są też skromniejsze warianty - na przykład 2400, 2666, 2800, 2933, 3000 MHz. Oraz bardziej zaawansowane do poważniejszych zadań - 3866, 4000, 4800, 5200, 5600 MHz. Dostępne są również moduły wysokiej częstotliwości 6000, 6600, 6800, 7000, 7200 MHz i więcej.

Ilość informacji, które moduł pamięci może odebrać lub przesłać w ciągu jednej sekundy. Szybkość pamięci i odpowiednio jej cena zależy bezpośrednio od przepustowości. Jednocześnie jest to dość specyficzny parametr, który dotyczy głównie systemów o wysokiej wydajności - gier i stacji roboczych, serwerów itp. Jeśli moduł pamięci RAM jest kupowany do zwykłego systemu domowego lub biurowego, można zignorować parametr przepustowości.

Termin ten odnosi się do czasu (a dokładniej liczby cykli pamięci), który upływa od żądania przez procesor odczytu danych do udostępnienia dostępu do pierwszej komórki zawierającej wybrane dane. Opóźnienie CAS to jeden z timingów (więcej szczegółów „Schemat taktowania pamięci”, tam parametr ten jest oznaczony jako CL) - co oznacza, że wpływa on na wydajność: im niższe CAS, tym szybciej ten moduł pamięci działa. Co prawda, dotyczy to tylko jednej i tej samej częstotliwości zegara (więcej szczegółów, patrz tamże.).

Obecnie na rynku dostępne są moduły pamięci o następujących opóźnieniach CAS: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Timing to termin, który odnosi się do czasu potrzebnego do zakończenia operacji. Aby zrozumieć schemat taktowania, należy wiedzieć, że strukturalnie pamięć RAM składa się z banków (od 2 do 8 na moduł), z których każdy z kolei ma wiersze i kolumny, jak tabela; przy dostępie do pamięci najpierw wybierany jest bank, następnie wiersz, a następnie kolumna. Diagram czasowy pokazuje czas potrzebny na wykonanie czterech głównych operacji podczas pracy pamięci RAM i jest zwykle zapisany czterocyfrowo w formacie CL-Trcd-Trp-Tras, gdzie

CL to minimalne opóźnienie między otrzymaniem polecenia odczytu danych a rozpoczęciem ich transmisji;

Trcd to minimalny czas między wybraniem wiersza a wybraniem w nim kolumny;

Trp to minimalny czas na zamknięcie linii, to znaczy opóźnienie między podanym sygnałem a faktycznym zamknięciem. Jednocześnie można otworzyć tylko jedną linię bankową; przed otwarciem następnej linii należy zamknąć poprzednią.

Tras - minimalny czas aktywności linii, czyli najkrótszy czas, po którym linia może otrzymać polecenie zamknięcia po jej otwarciu.

Czas w schemacie taktowania jest mierzony w cyklach zegara, więc rzeczywista wydajność pamięci zależy nie tylko od schematu taktowania, lecz także od częstotliwości zegara. Na przykład pamięć ze schematem 8-8-8-24 i częstotliwością zegara 1600 MHz będzie działać z taką samą szybkością jak pamięć ze schematem 4-4-4-12 i częstotliwością 800 MHz - w obu przypadkach schemat...timingów, wyrażany w nanosekundach, będzie wynosić 5-5-5-15.

Napięcie nominalne wymagane do działania modułu pamięci. Wybierając pamięć należy zwrócić uwagę na to, aby odpowiednie napięcie obsługiwane było przez płytę główną.