Polska
Katalog   /   Komputery   /   Podzespoły   /   Pamięci RAM

Porównanie Crucial Ballistix Elite DDR4 1x8Gb BLE8G4D34AEEAK vs HyperX Fury DDR4 1x8Gb HX434C19FB2/8

Dodaj do porównania
Crucial Ballistix Elite DDR4 1x8Gb BLE8G4D34AEEAK
HyperX Fury DDR4 1x8Gb HX434C19FB2/8
Crucial Ballistix Elite DDR4 1x8Gb BLE8G4D34AEEAKHyperX Fury DDR4 1x8Gb HX434C19FB2/8
od 403 zł
Produkt jest niedostępny
od 218 zł
Produkt jest niedostępny
TOP sprzedawcy
Pojemność całkowita8 GB8 GB
Liczba kości w zestawie1 szt.1 szt.
StandardDIMMDIMM
Rodzaj pamięciDDR4DDR4
Liczba rankówSingle Rank
Specyfikacja
Częstotliwość taktowania3466 MHz3466 MHz
Przepustowość27700 MB/s27700 MB/s
Opóźnienie CASCL16CL19
Timingi16-18-1819-23-23
Napięcie robocze1.35 V1.2 V
Rodzaj chłodzeniaradiatorradiator
Profil kościstandardowystandardowy
Wysokość kości40.4 mm34 mm
Cechy dodatkowe
seria do podkręcania (overclocking)
obsługa XMP
seria do podkręcania (overclocking)
obsługa XMP
Kolor obudowy
Data dodania do E-Katalogmaj 2018maj 2018

Liczba ranków

Liczba ranków, przewidziana w kości pamięci.

Rankiem w tym przypadku nazywany jest jeden moduł logiczny - zestaw mikroukładów o łącznej bitowości 64 bity. Jeżeli istnieje więcej niż jeden rank, oznacza to, że na jednym fizycznym module zaimplementowanych jest kilka modułów logicznych, które naprzemiennie wykorzystują kanał transmisji danych. Podobna konfiguracja jest używana w celu uzyskania dużej ilości pamięci RAM przy ograniczonej liczbie gniazd na poszczególne kości. Jednocześnie należy powiedzieć, że w przypadku komputerów domowych rank pamięci można zignorować - a dokładniej, wystarczą im moduły jednostronne. Lecz w przypadku serwerów i wydajnych stacji roboczych dostępne są rozwiązania dwu-, cztero-, a nawet ośmiostronne.

Zwróć uwagę, że przy ceteris paribus, większa liczba ranków pozwala na osiągnięcie dużych pojemności, jednak wymaga większej mocy obliczeniowej i zwiększa obciążenie systemu.

Opóźnienie CAS

Termin ten odnosi się do czasu (a dokładniej liczby cykli pamięci), który upływa od żądania przez procesor odczytu danych do udostępnienia dostępu do pierwszej komórki zawierającej wybrane dane. Opóźnienie CAS to jeden z timingów (więcej szczegółów „Schemat taktowania pamięci”, tam parametr ten jest oznaczony jako CL) - co oznacza, że wpływa on na wydajność: im niższe CAS, tym szybciej ten moduł pamięci działa. Co prawda, dotyczy to tylko jednej i tej samej częstotliwości zegara (więcej szczegółów, patrz tamże.).

Obecnie na rynku dostępne są moduły pamięci o następujących opóźnieniach CAS: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Timingi

Timing to termin, który odnosi się do czasu potrzebnego do zakończenia operacji. Aby zrozumieć schemat taktowania, należy wiedzieć, że strukturalnie pamięć RAM składa się z banków (od 2 do 8 na moduł), z których każdy z kolei ma wiersze i kolumny, jak tabela; przy dostępie do pamięci najpierw wybierany jest bank, następnie wiersz, a następnie kolumna. Diagram czasowy pokazuje czas potrzebny na wykonanie czterech głównych operacji podczas pracy pamięci RAM i jest zwykle zapisany czterocyfrowo w formacie CL-Trcd-Trp-Tras, gdzie

CL to minimalne opóźnienie między otrzymaniem polecenia odczytu danych a rozpoczęciem ich transmisji;

Trcd to minimalny czas między wybraniem wiersza a wybraniem w nim kolumny;

Trp to minimalny czas na zamknięcie linii, to znaczy opóźnienie między podanym sygnałem a faktycznym zamknięciem. Jednocześnie można otworzyć tylko jedną linię bankową; przed otwarciem następnej linii należy zamknąć poprzednią.

Tras - minimalny czas aktywności linii, czyli najkrótszy czas, po którym linia może otrzymać polecenie zamknięcia po jej otwarciu.

Czas w schemacie taktowania jest mierzony w cyklach zegara, więc rzeczywista wydajność pamięci zależy nie tylko od schematu taktowania, lecz także od częstotliwości zegara. Na przykład pamięć ze schematem 8-8-8-24 i częstotliwością zegara 1600 MHz będzie działać z taką samą szybkością jak pamięć ze schematem 4-4-4-12 i częstotliwością 800 MHz - w obu przypadkach schemat...timingów, wyrażany w nanosekundach, będzie wynosić 5-5-5-15.

Napięcie robocze

Napięcie nominalne wymagane do działania modułu pamięci. Wybierając pamięć należy zwrócić uwagę na to, aby odpowiednie napięcie obsługiwane było przez płytę główną.
HyperX Fury DDR4 1x8Gb często porównują