Standard
Parametr określający fizyczne wymiary modułu pamięci, a także liczbę i położenie na nim styków. Obecnie najpopularniejsze współczynniki kształtu to:
-
DIMM. Klasyczne pełnowymiarowe paski pamięci stosowane głównie w komputerach stacjonarnych. Liczba pinów wynosi zwykle od 168 do 240.
-
SODIMM(Small Outline Dual In-Line Memory Module). Mniejsza wersja modułu DIMM, przeznaczona do użytku w komputerach przenośnych, takich jak laptopy i tablety. Liczba pinów waha się od 72 do 200.
-
FBDIMM(Fully Buffered Dual In-Line Memory Module). Moduły pamięci o zwiększonej niezawodności dzięki zastosowaniu w konstrukcji bufora (patrz "Obsługa buforowania (Registered)). Najczęściej używane w serwerach. Zewnętrznie są one podobne do 240-pinowych modułów DIMM, lecz nie są z nimi kompatybilne.
Częstotliwość taktowania
Częstotliwość taktowania modułu RAM.
Im wyższy ten wskaźnik, tym szybciej pracuje pamięć RAM, przy innych parametrach równych, tym wyższa jest jej wydajność w grach i innych aplikacjach wymagających dużej ilości zasobów. Z drugiej strony wysoka częstotliwość taktowania ma odpowiedni wpływ na koszt. Dodatkowo, aby wykorzystać wszystkie możliwości pamięci, płyta główna, do której podłączony jest moduł, musi obsługiwać odpowiednią częstotliwość.
Najpopularniejsze są moduły o częstotliwości
3200 i
3600 MHz - są to uniwersalne konie robocze. Są też skromniejsze warianty - na przykład
2400,
2666,
2800,
2933,
3000 MHz. Oraz bardziej zaawansowane do poważniejszych zadań -
3866,
4000,
4800,
5200,
5600 MHz. Dostępne są również moduły wysokiej częstotliwości
6000,
6600,
6800,
7000,
7200 MHz i więcej.
Przepustowość
Ilość informacji, które moduł pamięci może odebrać lub przesłać w ciągu jednej sekundy. Szybkość pamięci i odpowiednio jej cena zależy bezpośrednio od przepustowości. Jednocześnie jest to dość specyficzny parametr, który dotyczy głównie systemów o wysokiej wydajności - gier i stacji roboczych, serwerów itp. Jeśli moduł pamięci RAM jest kupowany do zwykłego systemu domowego lub biurowego, można zignorować parametr przepustowości.
Opóźnienie CAS
Termin ten odnosi się do czasu (a dokładniej liczby cykli pamięci), który upływa od żądania przez procesor odczytu danych do udostępnienia dostępu do pierwszej komórki zawierającej wybrane dane. Opóźnienie CAS to jeden z timingów (więcej szczegółów „Schemat taktowania pamięci”, tam parametr ten jest oznaczony jako CL) - co oznacza, że wpływa on na wydajność: im niższe CAS, tym szybciej ten moduł pamięci działa. Co prawda, dotyczy to tylko jednej i tej samej częstotliwości zegara (więcej szczegółów, patrz tamże.).
Obecnie na rynku dostępne są moduły pamięci o następujących opóźnieniach CAS:
9,
10,
11,
12,
13,
14,
15,
16,
17,
18,
19,
20,
21,
22,
24,
30,
32,
36,
38,
40,
42,
46.
Timingi
Timing to termin, który odnosi się do czasu potrzebnego do zakończenia operacji. Aby zrozumieć schemat taktowania, należy wiedzieć, że strukturalnie pamięć RAM składa się z banków (od 2 do 8 na moduł), z których każdy z kolei ma wiersze i kolumny, jak tabela; przy dostępie do pamięci najpierw wybierany jest bank, następnie wiersz, a następnie kolumna. Diagram czasowy pokazuje czas potrzebny na wykonanie czterech głównych operacji podczas pracy pamięci RAM i jest zwykle zapisany czterocyfrowo w formacie CL-Trcd-Trp-Tras, gdzie
CL to minimalne opóźnienie między otrzymaniem polecenia odczytu danych a rozpoczęciem ich transmisji;
Trcd to minimalny czas między wybraniem wiersza a wybraniem w nim kolumny;
Trp to minimalny czas na zamknięcie linii, to znaczy opóźnienie między podanym sygnałem a faktycznym zamknięciem. Jednocześnie można otworzyć tylko jedną linię bankową; przed otwarciem następnej linii należy zamknąć poprzednią.
Tras - minimalny czas aktywności linii, czyli najkrótszy czas, po którym linia może otrzymać polecenie zamknięcia po jej otwarciu.
Czas w schemacie taktowania jest mierzony w cyklach zegara, więc rzeczywista wydajność pamięci zależy nie tylko od schematu taktowania, lecz także od częstotliwości zegara. Na przykład pamięć ze schematem 8-8-8-24 i częstotliwością zegara 1600 MHz będzie działać z taką samą szybkością jak pamięć ze schematem 4-4-4-12 i częstotliwością 800 MHz - w obu przypadkach schemat...timingów, wyrażany w nanosekundach, będzie wynosić 5-5-5-15.
Cechy dodatkowe
- Seria
do podkręcania (overclocking). Przynależność do podobnej serii oznacza, że producent początkowo wyposażył moduł w możliwość podkręcania („overclocking”) – czyli zwiększenia wydajności poprzez zmianę parametrów pracy, w szczególności zwiększenie napięcia pracy i częstotliwości taktowania. Można też "podkręcać" zwykłą pamięć, która nie jest przeznaczona do podkręcania - jest to trudne i obarczone awariami, w tym całkowitym przepalaniem obwodów. Natomiast w specjalistycznych seriach podkręcanie jest funkcją udokumentowaną, realizowaną w szybki i łatwy sposób, ponadto najczęściej objętą gwarancją.
-
Obsługa XMP. Moduł pamięci kompatybilny z XMP. Ta technologia, opracowana przez firmę Intel, służy do przetaktowywania (patrz odpowiedni punkt). Jej kluczową zasadą jest to, że pewne profile przetaktowania są zapisywane w module pamięci - zestawy ustawień przetestowane pod kątem stabilności; i zamiast ręcznie ustawiać poszczególne parametry, wystarczy wybrać jeden z profili. Upraszcza to konfigurację systemu i jednocześnie zwiększa jego niezawodność podczas przetaktowywania. Należy jednak pamiętać, że aby korzystać z XMP, musi ono być wspierane nie tylko przez pamięć, lecz również przez płytę główną.
- Obsługa AMP. Zgodność modułu pamięci z technologią AMP. Pod względem głównych cech technologia ta jest całkowicie podobna do opisanej powyżej
XMP i różni
...się jedynie twórcą – w tym przypadku jest nim AMD.
- Obsługa EXPO. Zgodność modułu pamięci z technologią EXPO (Extended Profiles for Overclocking). Została stworzona w AMD przez specjalistę od podkręcania kości DDR5 w ramach konfiguracji Ryzen 7000. W swej istocie jest to fabryczny zestaw profili, który ułatwia podkręcanie pamięci RAM. Zastosowanie technologii pozwala na zwiększenie wydajności w grach o około 11% przy rozdzielczości obrazu Full HD.
- Obsługa buforowania (Registered). Obecność tak zwanego modułu pamięci. Bufor to sekcja do szybkiego zapisywania odebranych danych - pomiędzy kontrolerem pamięci (urządzeniem sterującym) a samymi chipami (urządzeniem pamięci). Taka konstrukcja zmniejsza obciążenie kontrolera, co skutkuje wyższą niezawodnością; z drugiej strony buforowane moduły są nieco wolniejsze ze względu na opóźnienia w przesyłaniu informacji przez bufor. Pamięć buforowana jest używana głównie w systemach serwerowych i jest droga. Wybierając pamięć, należy pamiętać, że w jednym systemie może być używana tylko pamięć buforowana lub tylko niebuforowana; nie da się połączyć tych dwóch rodzajów pamięci.
- Obsługa ECK. ECC (Error Checking and Correction) to technologia, która pozwala korygować drobne błędy, które pojawiają się podczas pracy z danymi. Aby korzystać z ECC, konieczne jest, aby było ono obsługiwane nie tylko przez moduł pamięci, lecz także przez płytę główną; takie wsparcie jest używane głównie w serwerach, lecz można je również znaleźć w płytach głównych dla zwykłych komputerów stacjonarnych.
