Polska
Katalog   /   Komputery   /   Podzespoły   /   Pamięci RAM

Porównanie Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1K43CB1-CTD vs Samsung DDR4 SO-DIMM M471A1K43DB1-CTD

Dodaj do porównania
Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1K43CB1-CTD
Samsung DDR4 SO-DIMM M471A1K43DB1-CTD
Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1K43CB1-CTDSamsung DDR4 SO-DIMM M471A1K43DB1-CTD
Porównaj ceny 3
od 149 zł
Produkt jest niedostępny
TOP sprzedawcy
Pojemność całkowita8 GB8 GB
Liczba kości w zestawie1 szt.1 szt.
StandardSO-DIMMSO-DIMM
Rodzaj pamięciDDR4DDR4
Liczba rankówSingle Rank
Specyfikacja
Częstotliwość taktowania2666 MHz2666 MHz
Przepustowość21300 MB/s21300 MB/s
Opóźnienie CASCL19CL19
Timingi19-19-19
Napięcie robocze1.2 В1.2 В
Rodzaj chłodzeniabez chłodzeniabez chłodzenia
Profil kościstandardowystandardowy
Kolor obudowy
Data dodania do E-Katalogkwiecień 2021listopad 2020
Glosariusz

Liczba ranków

Liczba ranków, przewidziana w kości pamięci.

Rankiem w tym przypadku nazywany jest jeden moduł logiczny - zestaw mikroukładów o łącznej bitowości 64 bity. Jeżeli istnieje więcej niż jeden rank, oznacza to, że na jednym fizycznym module zaimplementowanych jest kilka modułów logicznych, które naprzemiennie wykorzystują kanał transmisji danych. Podobna konfiguracja jest używana w celu uzyskania dużej ilości pamięci RAM przy ograniczonej liczbie gniazd na poszczególne kości. Jednocześnie należy powiedzieć, że w przypadku komputerów domowych rank pamięci można zignorować - a dokładniej, wystarczą im moduły jednostronne. Lecz w przypadku serwerów i wydajnych stacji roboczych dostępne są rozwiązania dwu-, cztero-, a nawet ośmiostronne.

Zwróć uwagę, że przy ceteris paribus, większa liczba ranków pozwala na osiągnięcie dużych pojemności, jednak wymaga większej mocy obliczeniowej i zwiększa obciążenie systemu.

Timingi

Timing to termin, który odnosi się do czasu potrzebnego do zakończenia operacji. Aby zrozumieć schemat taktowania, należy wiedzieć, że strukturalnie pamięć RAM składa się z banków (od 2 do 8 na moduł), z których każdy z kolei ma wiersze i kolumny, jak tabela; przy dostępie do pamięci najpierw wybierany jest bank, następnie wiersz, a następnie kolumna. Diagram czasowy pokazuje czas potrzebny na wykonanie czterech głównych operacji podczas pracy pamięci RAM i jest zwykle zapisany czterocyfrowo w formacie CL-Trcd-Trp-Tras, gdzie

CL to minimalne opóźnienie między otrzymaniem polecenia odczytu danych a rozpoczęciem ich transmisji;

Trcd to minimalny czas między wybraniem wiersza a wybraniem w nim kolumny;

Trp to minimalny czas na zamknięcie linii, to znaczy opóźnienie między podanym sygnałem a faktycznym zamknięciem. Jednocześnie można otworzyć tylko jedną linię bankową; przed otwarciem następnej linii należy zamknąć poprzednią.

Tras - minimalny czas aktywności linii, czyli najkrótszy czas, po którym linia może otrzymać polecenie zamknięcia po jej otwarciu.

Czas w schemacie taktowania jest mierzony w cyklach zegara, więc rzeczywista wydajność pamięci zależy nie tylko od schematu taktowania, lecz także od częstotliwości zegara. Na przykład pamięć ze schematem 8-8-8-24 i częstotliwością zegara 1600 MHz będzie działać z taką samą szybkością jak pamięć ze schematem 4-4-4-12 i częstotliwością 800 MHz - w obu przypadkach schemat...timingów, wyrażany w nanosekundach, będzie wynosić 5-5-5-15.
Dynamika cen
Samsung DDR4 SO-DIMM często porównują