Тип пристрою: інтегральний підсилювач; Елементна база: транзисторний; Кількість каналів: 4; Діапазон частот (Гц): 10 – 100000; Потужність на канал при 8 Ом (Вт): 200; Потужність на канал при 4 Ом (Вт): 200; Співвідношення сигнал/шум (дБ): 108; Співвідношення сигнал/шум (Phono MM/MC), дБ: 79
