Тип пристрою: інтегральний підсилювач; Елементна база: транзисторний; Кількість каналів: 2; Діапазон частот (Гц): 20 – 20000; Потужність на канал при 8 Ом (Вт): 120; Потужність на канал при 4 Ом (Вт): 200; Потужність на канал, при 2 Ом (Вт): 250; Співвідношення сигнал/шум (дБ): 106; Співвідношення сигнал/шум (Phono MM/MC), дБ: 76
