Тип пристрою: інтегральний підсилювач; Елементна база: транзисторний; Кількість каналів: 2; Діапазон частот (Гц): 5 – 100000; Потужність на канал при 8 Ом (Вт): 70; Потужність на канал при 4 Ом (Вт): 100; Співвідношення сигнал/шум (Phono MM/MC), дБ: 88 / 75; Коефіцієнт демпфування: 500
