Польща
Каталог   /   Комп'ютерна техніка   /   Комплектуючі   /   SSD-накопичувачі

Порівняння Samsung 960 EVO M.2 MZ-V6E500BW 500 ГБ vs Patriot Memory HellFire M.2 PH480GPM280SSDR 480 ГБ

Додати до порівняння
Samsung 960 EVO M.2 MZ-V6E500BW 500 ГБ
Patriot Memory HellFire M.2 PH480GPM280SSDR 480 ГБ
Samsung 960 EVO M.2 MZ-V6E500BW 500 ГБPatriot Memory HellFire M.2 PH480GPM280SSDR 480 ГБ
від 800 zł
Товар застарів
від 215 zł
Товар застарів
ТОП продавці
Головне
Підтримка AES 256 шифрування. Підтримка NVMe.
Типвнутрішнійвнутрішній
Об'єм500 ГБ480 ГБ
Форм-факторM.2M.2
Інтерфейс M.2PCI-E 3.0 4xPCI-E 3.0 4x
Технічні хар-ки
КонтролерSamsung Polaris
Буферна пам'ять512 МБ512 МБ
Тип пам’яті3D TLC NANDMLC
NVMe
Зовнішня швидкість запису1800 МБ/с2400 МБ/с
Зовнішня швидкість зчитування3200 МБ/с3000 МБ/с
Ударостійкість під час роботи1500 G
Напрацювання на відмову1.5 млн. год2 млн. год
IOPS запису330 тис
IOPS зчитування330 тис
TBW200 ТБ
DWPD0.4 разів/день
Гарантія виробника3 роки3 роки
Інше
TRIM
Розміри22x80 мм22x80 мм
Вага8 г9 г
Дата додавання на E-Katalogберезень 2017листопад 2016

Об'єм

Номінальна ємність накопичувача. Цей параметр безпосередньо визначає не тільки кількість даних, яка може поміститися на пристрій, але і його вартість; багато моделей SSD навіть випускаються в декількох версіях, що розрізняються по місткості. Тому при виборі варто враховувати реальні потреби та особливості застосування — інакше можна переплатити значну суму за не потрібні на практиці об'єми.

Що стосується фактичних значень, то ємність 120 ГБ і нижче в наш час вважається невеликою. Сюди ж можна прирівняти і SSD на 240 ГБ. Середніми значення вже вважаються 500 ГБ, підвищеними - 1 ТБ (в діапазон до яких потрапляють SSD на 400 і 800 ГБ). А найбільш ємні сучасні SSD вміщають 2 TБ, 4 TБ і навіть більше.

Контролер

Модель контролера, встановленого в SSD-накопичувачі.

Контролер являє собою управляючу схему, яка, власне, і забезпечує обмін інформацією між комірками пам'яті та комп'ютером, до якої підключений накопичувач. Можливості того чи іншого SSD-модуля (зокрема, швидкість читання і запису) багато в чому залежать саме від цієї схеми. Знаючи модель контролера, можна знайти детальні дані по ньому і оцінити можливості накопичувача. Для нескладного повсякденного використання ця інформація, зазвичай, не потрібна, але ось професіоналам і ентузіастам (моддерам, оверклокерам) вона може стати в нагоді.

В наш час висококласні контролери випускаються переважно під такими брендами: InnoGrit, Maxio, Phison, Realtek, Silicon Motion, Samsung.

Тип пам’яті

Тип основної пам'яті накопичувача визначає особливості розподілу інформації по апаратних комірках і фізичні особливості самих комірок.

MLC. Пам'ять Multi Level Cell на основі багатоярусних комірок, кожна з яких містить кілька рівнів сигналу. В осередках пам'яті MLC зберігається по 2 біта інформації. Має оптимальні показники надійності, енергоспоживання і продуктивності. До недавніх пір технологія була популярна в SSD-модулях початкового і середнього рівня, зараз вона поступово витісняється більше досконалими варіантами на зразок TLC або 3D MLC.

TLC. Еволюція технології MLC. Один елемент флеш-пам'яті Triple Level Cell може зберігати 3 біта інформації. Подібна щільність запису дещо збільшує ймовірність виникнення помилок в порівнянні з MLC, крім того, TLC-пам'ять вважається менш довговічною. Позитивною рисою характеру даної технології є доступна вартість, а для підвищення надійності в SSD-накопичувачах з TLC-пам'яттю можуть застосовуватися різні конструктивні хитрощі.

3D NAND. У структурі 3D NAND кілька шарів комірок пам'яті розміщуються вертикально, а між ними організовані взаємозв'язки. Завдяки цьому забезпечується велика ємність сховища без нарощування фізичних розмірів накопичувача та підвищується продуктивність роботи пам'яті за рахунок більш коротких з'єднань кожної комірки пам'яті. У SSD-накопичувачах пам'ять 3D NAND може викор...истовувати чипи MLC, TLC або QLC - докладніше про них повідомлено у відповідних пунктах.

3D MLC NAND. MLC-пам'ять багатошарової структури – її комірки розміщуються на платі не в один рівень, а в кілька «поверхів». Як результат, виробники досягли підвищення місткості накопичувачів без помітного збільшення габаритів. Також для пам'яті 3D MLC NAND характерні більш високі показники надійності, ніж в оригінальній MLC (див. відповідний пункт), при меншій вартості виробництва.

3D TLC NAND. «Тривимірна» модифікація технології TLC (див. відповідний пункт) з розміщенням комірок пам'яті на платі в кілька шарів. Подібне компонування дає змогу досягти більш високої ємності при менших розмірах самих накопичувачів. У виробництві така пам'ять простіше і дешевше одношарової.

3D QLC NAND. Тип-флеш пам'яті з чотирирівневими осередками (Quad Level Cell), що передбачає по 4 біта даних в кожній клітині. Технологія покликана зробити SSD з великими об'ємами масово доступними і остаточно відправити традиційні HDD у відставку. У конфігурації 3D QLC NAND пам'ять будується за «багатоповерховою» схемою з розміщенням комірок на платі в кілька шарів. «Тривимірна» структура здешевлює виробництво модулів пам'яті і дає змогу збільшити об'єм накопичувачів без шкоди для їх масогабаритної складової.

3D XPoint. Принципово новий тип пам'яті, що кардинально відрізняється від традиційного NAND. У таких накопичувачах комірки пам'яті і селектори розташовуються на перетинах перпендикулярних рядів провідних доріжок. Механізм запису інформації в комірки базується на зміні опору матеріалу без використання транзисторів. Пам'ять 3D XPoint є простою і недорогою у виробництві, до того ж вона забезпечує набагато більш високі показники швидкості і довговічності. Приставка «3D» в назві технології свідчить про те, що комірки на кристалі розміщуються в кілька шарів. Перше покоління 3D XPoint отримало двошарову структуру і виконане по 20-нанометровому техпроцесу.

Зовнішня швидкість запису

Найбільша швидкість в режимі запису характеризує швидкість, з якою модуль може приймати інформацію з підключеного комп'ютера (або іншого зовнішнього пристрою). Ця швидкість обмежується як інтерфейс підключення (див. «Роз'єм»), так і особливостями будови самого SSD.

Зовнішня швидкість зчитування

Найбільша швидкість обміну даними з комп'ютером (або іншим зовнішнім пристроєм), яку накопичувач може забезпечити в режимі зчитування; простіше кажучи — найбільша швидкість виведення інформації з накопичувача на зовнішній пристрій. Ця швидкість обмежується як інтерфейс підключення (див. «Роз'єм»), так і особливостями будови самого SSD. Її значення можуть варіюватися від 100 – 500 МБ/с в найбільш повільних моделях до 3 Гб/с і вище в самих прогресивних.

Ударостійкість під час роботи

Параметр, що визначає стійкість накопичувача до ударів і струсів в процесі роботи. Вимірюється в G — одиницях перевантаження, 1 G відповідає звичайній силі земного тяжіння. Чим вище число G — тим більш стійко пристрій до різного роду струсів і тим менша ймовірність пошкодження даних у ньому, скажімо, у випадку падіння. Цей параметр особливо важливий для зовнішніх накопичувачів (див. Тип).

Напрацювання на відмову

Час напрацювання накопичувача на відмову — час, який він здатний безперервно працювати без збоїв і неполадок; іншими словами — час роботи, після закінчення якого з'являється висока ймовірність появи помилок, а то і виходу модуля з ладу.

Зазвичай, в характеристиках вказується деякий середній час, виведене за результатами умовного тестування. Тому фактичне значення цього параметра може відрізнятися від заявленого в ту чи іншу сторону; однак на практиці цього момент не є особливо значущим. Річ у тім, що для сучасних SSD час напрацювання на відмову обчислюється мільйонами годин, а 1 млн годин відповідає більш ніж 110 років — при цьому мова йде саме про чисте часу роботи. Так що з практичної сторони довговічність накопичувача частіше обмежується більш специфічними параметрами — TBW і DPWD (див. нижче); а гарантія виробника взагалі не перевищує декількох років. Втім, дані з напрацювання на відмову в годинах можуть також стати в нагоді при виборі: за інших рівних умов більший час означає більшу надійність та довговічність SSD загалом.

IOPS запису

Показник IOPS, забезпечуваний накопичувачем в режимі запису.

Терміном IOPS позначають найбільша кількість операцій вводу-виводу, що SSD-модуль може зробити за секунду, в даному випадку — при запису даних. За цим показником часто оцінюють швидкодія накопичувача; однак це далеко не завжди вірно. По-перше, значення IOPS у різних виробників можуть замірятися по-різному — по максимальному значенню, по середньому, за довільного запису, за послідовного запису і т. ін. По-друге, переваги високих IOPS стають помітними лише при деяких специфічних операціях, зокрема одночасному копіюванні великої кількості файлів. Крім того, на практиці швидкість роботи накопичувача може обмежуватися системою, до якої він підключений. У світлі всього цього порівнювати з IOPS різні SSD-модулі загалом допускається, однак реальна різниця у швидкодії, швидше за все, буде не така помітна, як різниця в цифрах.

Що стосується конкретних значень, то для режиму запису з IOPS до 50 тис. вважається порівняно скромним, 50 – 100 тис. — середнім, понад 100 тис. — високим.

IOPS зчитування

Показник IOPS, забезпечуваний накопичувачем в режимі зчитування.

Терміном IOPS позначають найбільша кількість операцій вводу-виводу, що SSD-модуль може зробити за секунду, в даному випадку — при читанні даних з нього. По цьому показнику часто оцінюють швидкодія накопичувача; однак це далеко не завжди вірно. По-перше, значення IOPS у різних виробників можуть замірятися по-різному — по максимальному значенню, по середньому і т. ін. По-друге, переваги високих IOPS стають помітними лише при деяких специфічних операціях, зокрема одночасному копіюванні великої кількості файлів. Крім того, на практиці швидкість роботи накопичувача може обмежуватися системою, до якої він підключений. У світлі всього цього порівнювати з IOPS різні SSD-модулі загалом допускається, однак реальна різниця у швидкодії, швидше за все, буде не така помітна, як різниця в цифрах.

Для сучасних SSD в режимі читання значення IOPS менше 50 тис. вважається досить скромним показником, у більшості моделей цей параметр лежить в межах 50 – 100 тис., однак зустрічаються і більш високі цифри.
Samsung 960 EVO M.2 часто порівнюють
Patriot Memory HellFire M.2 часто порівнюють