Порівняння Samsung 960 PRO M.2 MZ-V6P512BW 512 ГБ vs OCZ RD400A PCIe RVD400-M22280-512G-A 512 ГБ

Форм-фактор, в якому виконаний накопичувач. Ця характеристика визначає розміри і форму модуля, а в багатьох випадках — ще й інтерфейс підключення. При цьому варто зазначити, що для зовнішніх SSD (див. «Тип») форм-фактор є другорядним параметром, від нього залежать лише загальні габарити корпуса (і то дуже приблизно). Тому звертати увагу на цей момент варто насамперед при виборі внутрішнього SSD — такий накопичувач повинен відповідати форм-фактору посадкового місця під нього, інакше нормальна установка буде неможливою.

Ось деякі найбільш популярні варіанти:

— 2,5". Один з найпоширеніших форм-факторів для внутрішніх SSD. Першопочатково накопичувачі на 2,5" застосовувалися в ноутбуках, однак у наш час відповідні слоти зустрічаються і в більшості настільних ПК. В будь-якому випадку, модулі цього форм-фактора можуть встановлюватися різними способами: одні кріпляться в окремі гнізда аналогічно жорстким дискам, інші (під інтерфейс U. 2, див. «Роз'єм») вставляються прямо в роз'єми материнських плат.

— M. 2. Форм-фактор, який застосовується в основному в висококласних внутрішніх накопичувачах, що поєднують в собі мініатюрні розміри і значні обсяги. Використовує власний стандартний роз'єм підключення, тому цей роз'єм в характеристиках окремо не вказується. Варто враховувати, що стандарт M. 2 поєднує в собі відразу два формату передачі даних — SATA і PCI-E, і накопичувачем зазвичай підтр...имується тільки один з них; докладніше див. «Інтерфейс M. 2». В будь-якому випадку, завдяки невеликим габаритам подібні модулі підходять як для настольних ПК, так і для ноутбуків.

— mini-SATA (mSATA). Мініатюрний форм-фактор внутрішніх накопичувачів, ідейний попередник M. 2. Першопочатково розроблявся для нетбуків і ультракомпактних лептопів, однак у наш час можна зустріти і настільні ПК з роз'ємами mSATA на материнських платах. Втім, у зв'язку з появою і розвитком більш прогресивних варіантів цей форм-фактор поступово виходить з вживання.

— PCI-E карта (HHHL). Накопичувачі, виконані у вигляді плат розширення і підключаються в слоти PCI-E (так само, як зовнішні відеокарти, звукові плати тощо). Маркування HHHL означає половинну довжину і половинну висоту — таким чином, подібні модулі підходять не тільки для повнорозмірних ПК, але і для більш компактних систем — наприклад, неттопів і навіть деяких ноутбуків. Інтерфейс PCI-E дозволяє досягти хороших швидкостей обміну даними, до того ж саме через нього реалізується NVMe (див. нижче). З іншого боку, ці можливості доступні і в більш досконалих і компактних форм-факторах, зокрема M. 2. Тому SSD-модулів у форматі карт PCI-E у наш час на ринку небагато.

— 1,8". Форм-фактор мініатюрних накопичувачів, першопочатково створений для ультракомпактних ноутбуків. Втім, у наш час SSD-модулі цього формату можна зустріти вкрай рідко, причому це в основному зовнішні моделі. Це пов'язано з появою більш зручних і досконалих форм-факторів для внутрішнього застосування, таких, як описаний вище M. 2.

— 3,5". Найбільший форм-фактор сучасних SSD-накопичувачів — розмір такого модуля можна порівняти з традиційним жорстким диском для настільного ПК. У наш час практично вийшов з ужитку в зв'язку з громіздкістю і відсутністю будь-яких помітних переваг перед більш мініатюрними рішеннями.

Модель контролера, встановленого в SSD-накопичувачі.

Контролер являє собою управляючу схему, яка, власне, і забезпечує обмін інформацією між комірками пам'яті та комп'ютером, до якої підключений накопичувач. Можливості того чи іншого SSD-модуля (зокрема, швидкість читання і запису) багато в чому залежать саме від цієї схеми. Знаючи модель контролера, можна знайти детальні дані по ньому і оцінити можливості накопичувача. Для нескладного повсякденного використання ця інформація, зазвичай, не потрібна, але ось професіоналам і ентузіастам (моддерам, оверклокерам) вона може стати в нагоді.

В наш час висококласні контролери випускаються переважно під такими брендами: InnoGrit, Maxio, Phison, Realtek, Silicon Motion, Samsung.

Буферна пам'ять являє собою невеликий чип на SSD-диску, що виконує функцію транзиту даних між диском і материнською платою. По суті, він виступає такою собі проміжною ланкою між оперативною пам'яттю комп'ютера і власною постійною пам'яттю накопичувача. Буфер служить для зберігання найбільш часто запитуваних з модуля даних, завдяки чому зменшується час доступу до них — інформація надсилається з кеша, замість того, щоб зчитуватися з магнітного носія. Як правило, чим більше розмір буфера - тим вища швидкодія накопичувача, при інших рівних умовах. Також накопичувачі з великим об'ємом буферної пам'яті знижують навантаження на процесор.

Тип основної пам'яті накопичувача визначає особливості розподілу інформації по апаратних комірках і фізичні особливості самих комірок.

— MLC. Пам'ять Multi Level Cell на основі багатоярусних комірок, кожна з яких містить кілька рівнів сигналу. В осередках пам'яті MLC зберігається по 2 біта інформації. Має оптимальні показники надійності, енергоспоживання і продуктивності. До недавніх пір технологія була популярна в SSD-модулях початкового і середнього рівня, зараз вона поступово витісняється більше досконалими варіантами на зразок TLC або 3D MLC.

— TLC. Еволюція технології MLC. Один елемент флеш-пам'яті Triple Level Cell може зберігати 3 біта інформації. Подібна щільність запису дещо збільшує ймовірність виникнення помилок в порівнянні з MLC, крім того, TLC-пам'ять вважається менш довговічною. Позитивною рисою характеру даної технології є доступна вартість, а для підвищення надійності в SSD-накопичувачах з TLC-пам'яттю можуть застосовуватися різні конструктивні хитрощі.

— 3D NAND. У структурі 3D NAND кілька шарів комірок пам'яті розміщуються вертикально, а між ними організовані взаємозв'язки. Завдяки цьому забезпечується велика ємність сховища без нарощування фізичних розмірів накопичувача та підвищується продуктивність роботи пам'яті за рахунок більш коротких з'єднань кожної комірки пам'яті. У SSD-накопичувачах пам'ять 3D NAND може викор...истовувати чипи MLC, TLC або QLC - докладніше про них повідомлено у відповідних пунктах.

— 3D MLC NAND. MLC-пам'ять багатошарової структури – її комірки розміщуються на платі не в один рівень, а в кілька «поверхів». Як результат, виробники досягли підвищення місткості накопичувачів без помітного збільшення габаритів. Також для пам'яті 3D MLC NAND характерні більш високі показники надійності, ніж в оригінальній MLC (див. відповідний пункт), при меншій вартості виробництва.

— 3D TLC NAND. «Тривимірна» модифікація технології TLC (див. відповідний пункт) з розміщенням комірок пам'яті на платі в кілька шарів. Подібне компонування дає змогу досягти більш високої ємності при менших розмірах самих накопичувачів. У виробництві така пам'ять простіше і дешевше одношарової.

— 3D QLC NAND. Тип-флеш пам'яті з чотирирівневими осередками (Quad Level Cell), що передбачає по 4 біта даних в кожній клітині. Технологія покликана зробити SSD з великими об'ємами масово доступними і остаточно відправити традиційні HDD у відставку. У конфігурації 3D QLC NAND пам'ять будується за «багатоповерховою» схемою з розміщенням комірок на платі в кілька шарів. «Тривимірна» структура здешевлює виробництво модулів пам'яті і дає змогу збільшити об'єм накопичувачів без шкоди для їх масогабаритної складової.

— 3D XPoint. Принципово новий тип пам'яті, що кардинально відрізняється від традиційного NAND. У таких накопичувачах комірки пам'яті і селектори розташовуються на перетинах перпендикулярних рядів провідних доріжок. Механізм запису інформації в комірки базується на зміні опору матеріалу без використання транзисторів. Пам'ять 3D XPoint є простою і недорогою у виробництві, до того ж вона забезпечує набагато більш високі показники швидкості і довговічності. Приставка «3D» в назві технології свідчить про те, що комірки на кристалі розміщуються в кілька шарів. Перше покоління 3D XPoint отримало двошарову структуру і виконане по 20-нанометровому техпроцесу.

Найбільша швидкість в режимі запису характеризує швидкість, з якою модуль може приймати інформацію з підключеного комп'ютера (або іншого зовнішнього пристрою). Ця швидкість обмежується як інтерфейс підключення (див. «Роз'єм»), так і особливостями будови самого SSD.

Найбільша швидкість обміну даними з комп'ютером (або іншим зовнішнім пристроєм), яку накопичувач може забезпечити в режимі зчитування; простіше кажучи — найбільша швидкість виведення інформації з накопичувача на зовнішній пристрій. Ця швидкість обмежується як інтерфейс підключення (див. «Роз'єм»), так і особливостями будови самого SSD. Її значення можуть варіюватися від 100 – 500 МБ/с в найбільш повільних моделях до 3 Гб/с і вище в самих прогресивних.

Параметр, що визначає стійкість накопичувача до ударів і струсів в процесі роботи. Вимірюється в G — одиницях перевантаження, 1 G відповідає звичайній силі земного тяжіння. Чим вище число G — тим більш стійко пристрій до різного роду струсів і тим менша ймовірність пошкодження даних у ньому, скажімо, у випадку падіння. Цей параметр особливо важливий для зовнішніх накопичувачів (див. Тип).

Показник IOPS, забезпечуваний накопичувачем в режимі запису.

Терміном IOPS позначають найбільша кількість операцій вводу-виводу, що SSD-модуль може зробити за секунду, в даному випадку — при запису даних. За цим показником часто оцінюють швидкодія накопичувача; однак це далеко не завжди вірно. По-перше, значення IOPS у різних виробників можуть замірятися по-різному — по максимальному значенню, по середньому, за довільного запису, за послідовного запису і т. ін. По-друге, переваги високих IOPS стають помітними лише при деяких специфічних операціях, зокрема одночасному копіюванні великої кількості файлів. Крім того, на практиці швидкість роботи накопичувача може обмежуватися системою, до якої він підключений. У світлі всього цього порівнювати з IOPS різні SSD-модулі загалом допускається, однак реальна різниця у швидкодії, швидше за все, буде не така помітна, як різниця в цифрах.

Що стосується конкретних значень, то для режиму запису з IOPS до 50 тис. вважається порівняно скромним, 50 – 100 тис. — середнім, понад 100 тис. — високим.

Показник IOPS, забезпечуваний накопичувачем в режимі зчитування.

Терміном IOPS позначають найбільша кількість операцій вводу-виводу, що SSD-модуль може зробити за секунду, в даному випадку — при читанні даних з нього. По цьому показнику часто оцінюють швидкодія накопичувача; однак це далеко не завжди вірно. По-перше, значення IOPS у різних виробників можуть замірятися по-різному — по максимальному значенню, по середньому і т. ін. По-друге, переваги високих IOPS стають помітними лише при деяких специфічних операціях, зокрема одночасному копіюванні великої кількості файлів. Крім того, на практиці швидкість роботи накопичувача може обмежуватися системою, до якої він підключений. У світлі всього цього порівнювати з IOPS різні SSD-модулі загалом допускається, однак реальна різниця у швидкодії, швидше за все, буде не така помітна, як різниця в цифрах.

Для сучасних SSD в режимі читання значення IOPS менше 50 тис. вважається досить скромним показником, у більшості моделей цей параметр лежить в межах 50 – 100 тис., однак зустрічаються і більш високі цифри.