CAS-латентність
Під цим терміном розуміють час (точніше, кількість циклів роботи пам'яті), який проходить від запиту процесора на читання даних до надання доступу до першої з комірок, що містять вибрані дані. CAS-латентність є одним з таймінгів (докладніше про них див п. «Схема таймінгів пам'яті», там цей параметр позначений як CL) — а значить, вона впливає на швидкодію: чим нижче CAS, тим швидше працює даний модуль пам'яті. Правда, це справедливо лише для однієї і тієї ж тактової частоти (докладніше див. там же).
Зараз на ринку представлені модулі пам'яті з такими значеннями CAS-латентності:
9,
10,
11,
12,
13,
14,
15,
16,
17,
18,
19,
20,
21,
22,
24,
30,
32,
36,
38,
40,
42,
46.
Схема таймінгів пам'яті
Таймінг — термін, що позначає час, необхідний для виконання якої-небудь операції. Для розуміння схеми таймінгів потрібно знати, що структурно оперативна пам'ять складається з банків (від 2 до 8 на модуль), кожен з яких, зі свого боку, має рядки і стовпці, подібно таблиці; при зверненні до пам'яті спочатку вибирається банк, потім рядок, потім стовпець. Схема таймінгів показує час, за який виконуються чотири основні операції під час роботи оперативної пам'яті, і зазвичай записується чотирма цифрами у форматі CL-Trcd-Trp-Tras, де
CL — мінімальна затримка між отриманням команди на читання даних і початком їх передачі;
Trcd — мінімальний час між вибором рядка і вибором стовпця в ній;
Trp — мінімальний час для закриття рядка, тобто затримка між подачею сигналу і фактичним закриттям. За один раз може бути відкрита тільки одна рядок банку; перш ніж відкрити наступний рядок, необхідно закрити попередню.
Tras — мінімальний час активності рядка, іншими словами — найменший час, через яке рядку можна подати команду на закриття після її відкриття.
Час в схемі таймінгів вимірюється в тактах, тому реальна швидкодія пам'яті залежить не тільки від схеми таймінгів, але і від тактової частоти. Наприклад, пам'ять зі схемою 8-8-8-24 і тактовою частотою 1600 МГц буде працювати з такою ж швидкістю, що і пам'ять зі схемою 4-4-4-12 і частотою 800 МГц — і в тому, і в тому випадку схема таймінгів, якщо її виразити в наносекундах,...буде становити 5-5-5-15.
Робоча напруга
Штатний електричну напругу, необхідну для роботи модуля пам'яті. При виборі пам'яті необхідно звернути увагу на те, щоб відповідна напруга підтримувалося материнською платою.
Додатково
— Серія
для розгону (overclocking). Приналежність до подібної серії означає, що виробник першопочатково передбачив у модулі можливість розгону («оверклокінгу») — тобто підвищення продуктивності за рахунок зміни параметрів роботи, зокрема, збільшення робочої напруги і тактової частоти. «Розігнати» можна і звичайну пам'ять, що не належить до оверклокерської — проте це складно і загрожує збоями, аж до повного перегорання схем, тоді як в спеціалізованих серіях розгін є документованою функцією, що реалізується швидко і просто, до того ж найчастіше покривається гарантією.
—
Підтримка XMP. Сумісність модуля пам'яті з технологією XMP. Дана технологія, створена компанією Intel, застосовується для розгону (див. відповідний пункт). Її ключовий принцип полягає в тому, що у модулі пам'яті записані певні профілі розгону — набори налаштувань, перевірені на стабільність роботи; та замість того, щоб вручну виставляти окремі параметри, користувачеві досить вибрати один із профілів. Це спрощує налаштування системи і водночас підвищує її надійність при розгоні. Однак варто враховувати, що для використання XMP її повинна підтримувати не тільки пам'ять, але і материнська плата.
— Підтримка AMP. Сумісність модуля пам'яті з технологією AMP. За основними особливостями дана технологія повністю аналогічна описаній вище
XMP і відрізняється лише творцем — в даному разі це
...компанія AMD.
— Підтримка EXPO. Сумісність модуля пам'яті з технологією EXPO (Extended Profiles for Overclocking). Її створили в компанії AMD спеціально для розгону планок DDR5 у складі систем Ryzen 7000. За своєю суттю, це заводський набір профілів оперативної пам'яті, який спрощує розгін «оперативки». Використання технології дає змогу підвищити продуктивність в іграх приблизно на 11% при роздільній здатності зображення, що транслюється, Full HD.
— Підтримка буферизації (Registered). Наявність у модуля пам'яті так званого буфера — розділу для швидкого збереження даних, що надійшли, — між контролером пам'яті (керуючим пристроєм) і власне чипами (запам'ятовуючими пристроями). Така схема знижує навантаження на контролер, за рахунок чого досягається більш висока надійність; з іншого боку, буферизовані модулі мають злегка знижену швидкодію внаслідок затримки при передачі інформації через буфер. Буферизована пам'ять застосовується переважно в серверних системах і характеризується високою вартістю.
При виборі пам'яті варто враховувати, що в одній системі може використовуватися або тільки буферизована, або тільки небуферизована пам'ять; поєднати ці два типи пам'яті неможливо.
— Підтримка ECC. ECC (Error Checking and Correction) — технологія, що дає можливість виправляти дрібні помилки, що виникають у процесі роботи з даними. Для використання ECC необхідно, щоб вона підтримувалася не тільки модулем пам'яті, але і материнською платою; переважно така підтримка застосовується в серверах, проте зустрічається і в «материнках» для звичайних десктопів.
