Porównanie Realme GT Master Edition 128 GB / 6 GB vs Realme GT 5G 128 GB / 8 GB

Stosunek powierzchni ekranu do całkowitej powierzchni przedniego panelu telefonu. Mówiąc najprościej, ta charakterystyka opisuje, jak dużą część panelu przedniego zajmuje ekran; pozostałość przypada na ramkę.

Wskaźnik ten jest podawany wyłącznie dla smartfonów z ekranami dotykowymi - to właśnie dla nich jest on najbardziej odpowiedni. Im większy procent obudowy zajmuje ekran - im cieńsza ramka, tym ładniejszy wygląda smartfon i tym wygodniej jest pracować z nim jedną ręką. Jeśli chodzi o konkretne liczby, średnie wartości wynoszą 80 – 85%, powyższe wartości świadczą o cienkiej ramce natomiast wartość ponad 90 % – o "bezramkowej" konstrukcji.

Należy zauważyć, że parametr ten nie ma nic wspólnego z proporcjami ekranu. Współczynnik proporcji opisuje tylko sam wyświetlacz - a mianowicie jego proporcje, stosunek między większym a mniejszym bokiem prostokąta.

Procent pokrycia ekranem smartfona gamy kolorów DCI-P3.

Przestrzeń ta charakteryzuje się szerszą gamą barw niż standardowy trójkąt sRGB. Ogólnie przestrzeń kolorów DCI-P3 odpowiada modelowi Adobe RGB, jednak z przesunięciem ku czerwieni. W praktyce wysoki współczynnik pokrycia oznacza wysoką jakość odwzorowania kolorów ekranu i pozwala na bardziej subtelną obróbkę obrazu przechwyconego z aparatu urządzenia mobilnego.

Obecnie największą popularnością cieszą się układy Qualcomm i MediaTek, procesory z Unisoc są nieco mniej popularne. W przypadku Qualcomm można wyróżnić kilka procesorów z każdej serii, a mianowicie Snapdragon 778G, Snapdragon 7 Gen 1, Snapdragon 7+ Gen 2, Snapdragon 7s Gen 2, Snapdragon 7 Gen 3, Snapdragon 7+ Gen 3, Snapdragon 865, Snapdragon 870, Snapdragon 888, Snapdragon 8 Gen 1, Snapdragon 8+ Gen 1, Snapdragon 8 Gen 2, Snapdragon 8 Gen 3, Snapdragon 8s Gen 3. U Mediatek zaś jest to budżetowa seria MediaTek Helio P i linię zaawansowanych chipsetów MediaTek Dimensity (Dimensity 1000, Dimensity 8000, Dimensity 9000) .

Znając nazwę modelu procesora (CPU) zainstalowanego w smartfonie, możesz znaleźć szczegółowe dane dotyczące konkretn...ego procesora i ocenić jego poziom oraz ogólne możliwości. Jest to szczególnie aktualne w świetle faktu, że możliwości te zależą nie tylko od liczby rdzeni i szybkości zegara, lecz także od specyfiki konstrukcji.

Częstotliwość taktowania procesora, w który wyposażone jest urządzenie. W przypadku procesorów wielordzeniowych, które są powszechnie stosowane w nowoczesnych smartfonach, przyjmuje się częstotliwość każdego pojedynczego rdzenia; a jeśli procesor ma rdzenia o różnych częstotliwościach (patrz „Liczba rdzeni”) - z reguły podawana jest wartość maksymalna.

Ogólnie rzecz biorąc, wydajne smartfony charakteryzują się wysokimi częstotliwościami procesora. Należy jednak pamiętać, że parametr ten sam w sobie nie jest bezpośrednio związany z możliwościami procesora: na rzeczywistą moc chipa wpływa wiele innych jego funkcji, a często rozwiązanie budżetowe z dużą częstotliwością taktowania okazuje się mniej produktywne niż droższy i jednocześnie wydawałoby się wolniejszy procesor. Ponadto ogólna wydajność systemu zależy bezpośrednio od całego zestawu innych czynników - przede wszystkim od ilości pamięci RAM. Dlatego przy ocenie smartfona należy kierować się nie tyle częstotliwością procesora, ile ogólną charakterystyką systemu i wskaźnikami wizualnymi, takimi jak wyniki testów (patrz poniżej).

Kompleksowa ocena procesorów (niezależnie od producenta chipsetu) dla smartfonów z systemem Android. Opiera się na zestawie wskaźników maksymalnej wydajności samego procesora, magistrali pamięci, rdzenia graficznego itp. Oceny procesorów mogą być przydatne, aby umożliwić porównanie i łatwy wybór podobnych modeli.

Model GPU zastosowany w telefonie komórkowym.

Ten moduł jest odpowiedzialny za wszystkie zadania związane z grafiką; w związku z tym jego cechy bezpośrednio wpływają na wydajność przetwarzania określonego obrazu. Jest to szczególnie widoczne na przykładzie „ciężkich” treści, takich jak nowoczesne gry 3D. Dlatego posiadanie wydajnej karty wideo jest szczególnie ważne w przypadku smartfonów gamingowych. Znając model GPU, możesz znaleźć szczegółowe dane na jego temat i ocenić jego możliwości.

Parametr określa ogólną wydajność smartfona: im więcej pamięci RAM, tym szybciej urządzenie działa i tym lepiej radzi sobie z zadaniami i/lub wymagającymi aplikacjami (przy ceteris paribus). Jest to tym bardziej prawdziwe w świetle faktu, że duże ilości RAM-u są zwykle łączone z mocnymi zaawansowanymi procesorami. Jednak tylko urządzenia z identycznymi systemami operacyjnymi mogą być bezpośrednio porównywane ze sobą, a w przypadku Androida z tymi samymi wersjami i edycjami tego systemu operacyjnego (więcej informacji na ten temat podano w „System operacyjny”). Wynika to z faktu, że różne systemy operacyjne, a nawet różne wersje tego samego systemu operacyjnego mogą znacznie różnić się wymaganiami dotyczącymi pamięci RAM. Przykładowo iOS, dzięki dobrej optymalizacji pod konkretne urządzenia, jest w stanie wydajnie pracować z 3 GB RAM-u. W przypadku wersji Androida w edycji zwykłej (nie Go Edition) wspomniane 3 GB to tak naprawdę wymagane minimum. W takim systemie operacyjnym lepiej jest mieć co najmniej 4 GB lub 6 GB pamięci RAM. W high-endowych urządzeniach z potężnym elektronicznym wypełnieniem można spotkać bardziej imponujące wartości – 8 GB, a nawet 12 GB lub więcej.

Typ pamięci operacyjnej (RAM), zainstalowanej w smartfonie.

Wszystkie współczesne urządzenia wykorzystują pamięć RAM formatu LPDDR (LPDDR4, LPDDR4x, LPDDR5, LPDDR5x, LPDDR5T). Oprócz swoich miniaturowych rozmiarów, różni się ona od zwykłej komputerowej pamięci RAM obsługą specjalnych formatów transmisji danych (16- i 32-bitowych magistrali pamięci). Natomiast wersje takiej pamięci mogą być różne:

— LPDDR3. Najwcześniejsza generacja LPDDR — została wprowadzona w 2012 roku i jest wdrażana w urządzeniach od 2013 roku. Standardowo pracuje z prędkością do 1600 MT/s (megatransakcji na sekundę) i częstotliwością do 933 MHz; wersja „ulepszona” obsługuje prędkości do 2133 MT/s. Obecnie ten standard nie cieszy się dużą popularnością, jest spotykany głównie wśród przestarzałych urządzeń mobilnych.

— LPDDR4. Następca LPDDR3, oficjalnie zaprezentowany w sierpniu 2014 roku (choć pierwsze produkty ukazały się pod koniec 2013 roku). Prędkość pracy w porównaniu z poprzednikiem podwoiła się – do 3200 MT/s; częstotliwość wzrosła do 1600 MHz; podczas gdy zużycie energii zostało zmniejszone o 40%. Ponadto zmienił się sposób transmisji danych – w szczególności zastosowano dwie magistrale 16-bitowe zamiast jednej 32-bitowej, a także wprowadzono do standardu pewne ulepszenia bezpieczeństwa. Ten typ p...amięć można spotkać w niektórych smartfonach ze średniej półki cenowej. — LPDDR4x. Ulepszona wersja LPDDR4 o obniżonym poborze prądu — w standardzie zastosowano napięcie 0,6 V zamiast 1,1 V. Ponadto w tego typu pamięci RAM zaimplementowano pewne ulepszenia mające na celu zwiększenie prędkości (osiąga 4266 MT/s) oraz ogólnej optymalizacji pracy – np. tryb jednokanałowy dla niewymagających aplikacji. Dzięki tym cechom ta wersja pamięci stała się znacznie bardziej rozpowszechniona niż oryginalna LPDDR4. Można ją spotkać w urządzeniach średniego i najwyższego poziomu.

— LPDDR5. Dalsze rozwinięcie „mobilnej” pamięci RAM, oficjalnie zapowiedziane na początku 2019 roku. Prędkość pracy w tej wersji została zwiększona do 6400 MT/s, wprowadzono różnicowy format sygnału poprawiający odporność na zakłócenia i błędy oraz zaimplementowano dynamiczną kontrolę częstotliwości i napięcia w celu zmniejszenia życia energii. Zastosowanie takich modułów pamięci jest typowe głównie dla smartfonów z wyższej półki.

— LPDDR5x. Bardziej energooszczędna i szybsza wersja pamięci RAM LPDDR5. Prędkość przesyłania danych została zwiększona do 8533 MT/s, a wskaźnik szczytowej przepustowości — do 8.5 Gb/s. Liczba banków pamięci na kanał w LPDDR5x wynosi zawsze 16. Pamięć RAM tego standardu jest typowa dla zaawansowanych smartfonów najwyższej klasy.

— LPDDR5T. T jak turbo. Szybkość pracy pamięci RAM typu LPDDR5T została zwiększona do 9600 MT/s, a urządzenia z takimi modułami pamięci są o około 13% szybsze w porównaniu do LPDDR5X. Pamięć pracuje w niskim zakresie napięć od 1,01 do 1,12 V. Odpowiednie moduły przeznaczone są do stosowania w urządzeniach mobilnych z najwyższej półki.

Specyfikacja, z którą jest zgodna wbudowana pamięć telefonu.

Prędkość pamięci przede wszystkim zależy od specyfikacji, a zatem od prędkości całego urządzenia (zwłaszcza podczas pracy z dużymi ilościami danych lub aplikacjami wymagającymi dużej ilości zasobów). Obecnie istnieją dwie podstawowe specyfikacje - eMMC i UFS; każda z nich ma kilka wersji. Ogólnie rzecz biorąc, najszybsze i najbardziej zaawansowane obecnie dyski to dyski z UFS 3.1 i UFS 4.0, lecz kosztują one dużo więcej i dlatego są używane głównie w smartfonach klasy premium. Bardziej szczegółowy opis tych standardów wygląda następująco:

- eMMC. Jeden z najprostszych i najtańszych standardów pamięci półprzewodnikowej - na przykład jest to specyfikacja której używa większość dysków flash. W smartfonach i innych gadżetach przenośnych standard ten był ogólnie akceptowany do 2016 roku, kiedy rozpoczęło się wprowadzenie UFS; jednak nadal jest on bardzo popularny, głównie ze względu na niski koszt i niskie zużycie energii. Lecz prędkości eMMC są zauważalnie niższe niż prędkości UFS. Czyli w najnowszej wersji eMMC 5.1A (2019) prędkość odczytu wynosi do 400 MB/s, a wcześniejsza i bardziej rozpowszechniona wersja eMMC 5.1 zapewnia do 250 MB/s w trybie odczytu, do 125 MB/s w trybie zapisu sekwencyjnego i to wszystko tylko do 7,16 MB/s przy zapisie losowym (czyli w trybie pracy z aplikacjami).

- UFS. Standard dysków półprzew...odnikowych zaprojektowany jako szybszy i bardziej zaawansowany następca eMMC. Oprócz zwiększonych prędkości wymiany danych, zmieniono również format pracy w UFS - jest on w pełni dupleksowy, czyli odczyt i zapis może odbywać się jednocześnie (podczas gdy w eMMC procesy te odbywały się kolejno). Znacząco poprawiono również wydajność w trybie losowego odczytu i zapisu, co pozytywnie wpłynęło na jakość pracy z aplikacjami. Zaś konkretne prędkości wymiany danych i funkcje operacyjne zależą od wersji UFS, w naszych czasach na rynku można znaleźć następujące odmiany:

• 2.0. Najwcześniejsza wersja, spotykana we współczesnych smartfonach; została wydana w roku 2013 . Zapewnia szybkość przesyłania danych do 600 MB/s na linię i do 1,2 GB/s na dwóch liniach, maksymalne dostępne w tej wersji. Nowsza wersja 2.1 ma te same wskaźniki, lecz jest uzupełniona szeregiem ważnych innowacji. Dlatego pamięć UFS 2.0 jest rzadko używana w telefonach komórkowych.
• 2.1. Pierwsza z wersji, która aktywnie jest stosowane w smartfonach; została wydana w roku 2016. Pod względem prędkości nie różni się ona od opisanej powyżej wersji 2.0, a główne różnice dotyczą kilku modyfikacji. W szczególności UFS 2.1 wprowadził wskaźnik stanu („kondycji”) dysku, możliwość zdalnej aktualizacji firmware, a także szereg rozwiązań mających na celu poprawę ogólnej niezawodności.
• 2.2. Ewolucja standardu UFS 2.x zaprezentowana latem 2020 roku. Kluczowym ulepszeniem jest wprowadzenie funkcji WriteBooster (pierwotnie wprowadzonej w UFS 3.1); funkcja ta może znacznie zwiększyć prędkość zapisu, a tym samym ogólną wydajność w zadaniach, takich jak uruchamianie aplikacji.
• 3.0. Wersja wydana w 2018 roku i realizowana sprzętowo rok później. Zwiększono przepustowość do 2,9 GB/s dla dwóch linii (1,45 GB/s dla jednej), wprowadzono nowe wersje protokołu elektronicznego M-PHY (warstwa fizyczna) i opartego na nim UniPro, zwiększono niezawodność pracy z danymi oraz rozszerzono tryb temperaturowy pracy regulatorów (teoretycznie może wynosić od -40 °C do 105 °C). UFS 3.0 jest używany głównie w dość zaawansowanych smartfonach, choć w przyszłości możemy spodziewać się rozpowszechnienia tej specyfikacji na skromniejsze modele.
• 3.1. Następca standardu UFS 3.0, oficjalnie wprowadzonego na początku 2020 roku. Jest pozycjonowany jako specyfikacja stworzona specjalnie dla urządzeń mobilnych o wysokiej wydajności i mająca na celu zwiększenie prędkości działania przy jednoczesnej minimalizacji zużycia energii. W tym celu w UFS 3.1 zaimplementowano szereg innowacji: Nieulotna pamięć podręczna Write Booster przyspieszająca zapis; specjalny tryb oszczędzania energii DeepSleep dla stosunkowo prostych i niedrogich systemów; oraz Powiadomienie o ograniczeniu wydajności, które umożliwia dysku ostrzeganie systemu sterowania o przegrzaniu. Ponadto ten standard może dodatkowo przewidywać obsługę rozszerzenia HPB w celu zwiększenia prędkości odczytu.
• 4.0. UFS 4.0 podwojono przepustowość (23,2 GB/s na linię) oraz poprawiono efektywność energetyczną o około 46% (w porównaniu z poprzednim standardem 3.1). Standardowe moduły pamięci UFS 4.0 zapewniają maksymalną prędkość odczytu do 4200 MB/s, prędkość zapisu do 2800 MB/s. Wysoka przepustowość sprawia, że ​​standard pamięci jest idealny dla smartfonów 5G.