Польща
Каталог   /   Комп'ютерна техніка   /   Комплектуючі   /   Оперативна пам'ять

Порівняння Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1K43CB1-CTD vs Samsung DDR4 SO-DIMM M471A1K43DB1-CTD

Додати до порівняння
Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1K43CB1-CTD
Samsung DDR4 SO-DIMM M471A1K43DB1-CTD
Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x8Gb M471A1K43CB1-CTDSamsung DDR4 SO-DIMM M471A1K43DB1-CTD
Порівняти ціни 3
від 149 zł
Товар застарів
ТОП продавці
Об'єм пам'яті комплекту8 ГБ8 ГБ
Кількість планок у комплекті1 шт1 шт
Форм-фактор пам'ятіSO-DIMMSO-DIMM
Тип пам’ятіDDR4DDR4
Ранг пам'ятіоднорангова
Характеристики
Тактова частота2666 МГц2666 МГц
Пропускна здатність21300 МБ/с21300 МБ/с
CAS-латентністьCL19CL19
Схема таймінгів пам'яті19-19-19
Робоча напруга1.2 В1.2 В
Тип охолодженнябез охолодженнябез охолодження
Профіль планкистандартнийстандартний
Колір корпусу
Дата додавання на E-Katalogквітень 2021листопад 2020
Глосарій

Ранг пам'яті

Кількість рангів, передбачена в планці пам'яті.

Рангом в даному разі називають один логічний модуль — набір мікросхем із загальною розрядністю 64 біта. Якщо кількість рангів більше одного — це означає, що на одному фізичному модулі реалізовано декілька логічних, а канал передачі даних вони використовують поперемінно. Подібна конструкція використовується для того, щоб досягти більших об'ємів RAM при обмеженій кількості слотів під окремі планки. При цьому варто сказати, що для побутових комп'ютерів на ранг пам'яті можна не звертати особливої уваги — точніше, для них цілком достатньо однорангових модулів. А ось для потужних серверів і робочих станцій випускаються двох-, чотири- і навіть восьмирангові рішення.

Зазначимо, що за інших рівних умов більше число рангів дає змогу досягти більших об'ємів, однак потребує більшої обчислювальної потужності і підвищує навантаження на систему.

Схема таймінгів пам'яті

Таймінг — термін, що позначає час, необхідний для виконання якої-небудь операції. Для розуміння схеми таймінгів потрібно знати, що структурно оперативна пам'ять складається з банків (від 2 до 8 на модуль), кожен з яких, зі свого боку, має рядки і стовпці, подібно таблиці; при зверненні до пам'яті спочатку вибирається банк, потім рядок, потім стовпець. Схема таймінгів показує час, за який виконуються чотири основні операції під час роботи оперативної пам'яті, і зазвичай записується чотирма цифрами у форматі CL-Trcd-Trp-Tras, де

CL — мінімальна затримка між отриманням команди на читання даних і початком їх передачі;

Trcd — мінімальний час між вибором рядка і вибором стовпця в ній;

Trp — мінімальний час для закриття рядка, тобто затримка між подачею сигналу і фактичним закриттям. За один раз може бути відкрита тільки одна рядок банку; перш ніж відкрити наступний рядок, необхідно закрити попередню.

Tras — мінімальний час активності рядка, іншими словами — найменший час, через яке рядку можна подати команду на закриття після її відкриття.

Час в схемі таймінгів вимірюється в тактах, тому реальна швидкодія пам'яті залежить не тільки від схеми таймінгів, але і від тактової частоти. Наприклад, пам'ять зі схемою 8-8-8-24 і тактовою частотою 1600 МГц буде працювати з такою ж швидкістю, що і пам'ять зі схемою 4-4-4-12 і частотою 800 МГц — і в тому, і в тому випадку схема таймінгів, якщо її виразити в наносекундах,...буде становити 5-5-5-15.
Динаміка цін
Samsung DDR4 SO-DIMM часто порівнюють