Тип пристрою: інтегральний підсилювач; Елементна база: транзисторний; Кількість каналів: 1; Діапазон частот (Гц): 20 – 20000; Потужність на канал при 4 Ом (Вт): 80; Потужність на канал (100/70 В): 80; Потужність на канал (50/25 В): 80; Співвідношення сигнал/шум (дБ): 90; Коеф. гармонійних спотворень (%): 0.5
