Tryb nocny
Polska
Katalog   /   Komputery   /   Podzespoły   /   Pamięci RAM

Porównanie GOODRAM IRDM DDR4 2x8Gb IR-2400D464L15S/16GDC vs Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8Gb BLS8G4D240FSBK

Dodaj do porównania
GOODRAM IRDM DDR4 2x8Gb IR-2400D464L15S/16GDC
Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8Gb BLS8G4D240FSBK
GOODRAM IRDM DDR4 2x8Gb IR-2400D464L15S/16GDCCrucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8Gb BLS8G4D240FSBK
od 290 zł
Produkt jest niedostępny
od 224 zł
Produkt jest niedostępny
TOP sprzedawcy
Pojemność całkowita16 GB8 GB
Liczba kości w zestawie2 szt.1 szt.
StandardDIMMDIMM
Rodzaj pamięciDDR4DDR4
Liczba rankówSingle RankSingle Rank
Specyfikacja
Częstotliwość taktowania2400 MHz2400 MHz
Przepustowość19200 MB/s19200 MB/s
Opóźnienie CASCL15CL16
Timingi15-15-1516-16-16
Napięcie robocze1.2 V1.2 V
Rodzaj chłodzeniaradiatorradiator
Profil kościstandardowystandardowy
Wysokość kości33 mm
Cechy dodatkowe
 
 
seria do przetaktowania (overclocking)
obsługa XMP
Kolor obudowy
Data dodania do E-Katalogczerwiec 2017listopad 2015

Pojemność całkowita

 

Liczba kości w zestawie

Liczba pojedynczych kości zawartych w zestawie RAM. Jedna kość zajmuje jedno gniazdo na płycie głównej, dlatego aby zainstalować cały zestaw, liczba wolnych gniazd musi być równa lub większa niż liczba kości.

Jeżeli w zestawie jest parzysta liczba kości, może dla nich być dostępny tryb pracy w parze. Ten tryb znacznie zwiększa prędkość, jednak nie jest obsługiwany przez wszystkie modele płyt głównych, więc w każdym konkretnym przypadku ten szczegół należy wyjaśnić osobno.

Obecnie na rynku dostępne są następujące warianty: jedna kość, zestaw z 2 szt., zestaw z 4 szt., zestaw z 8 szt.

Opóźnienie CAS

Termin ten odnosi się do czasu (a dokładniej liczby cykli pamięci), który upływa od żądania przez procesor odczytu danych do udostępnienia dostępu do pierwszej komórki zawierającej wybrane dane. Opóźnienie CAS to jeden z timingów (więcej szczegółów „Schemat taktowania pamięci”, tam parametr ten jest oznaczony jako CL) - co oznacza, że wpływa on na wydajność: im niższe CAS, tym szybciej ten moduł pamięci działa. Co prawda, dotyczy to tylko jednej i tej samej częstotliwości zegara (więcej szczegółów, patrz tamże.).

Obecnie na rynku dostępne są moduły pamięci o następujących opóźnieniach CAS: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Timingi

Timing to termin, który odnosi się do czasu potrzebnego do zakończenia operacji. Aby zrozumieć schemat taktowania, należy wiedzieć, że strukturalnie pamięć RAM składa się z banków (od 2 do 8 na moduł), z których każdy z kolei ma wiersze i kolumny, jak tabela; przy dostępie do pamięci najpierw wybierany jest bank, następnie wiersz, a następnie kolumna. Diagram czasowy pokazuje czas potrzebny na wykonanie czterech głównych operacji podczas pracy pamięci RAM i jest zwykle zapisany czterocyfrowo w formacie CL-Trcd-Trp-Tras, gdzie

CL to minimalne opóźnienie między otrzymaniem polecenia odczytu danych a rozpoczęciem ich transmisji;

Trcd to minimalny czas między wybraniem wiersza a wybraniem w nim kolumny;

Trp to minimalny czas na zamknięcie linii, to znaczy opóźnienie między podanym sygnałem a faktycznym zamknięciem. Jednocześnie można otworzyć tylko jedną linię bankową; przed otwarciem następnej linii należy zamknąć poprzednią.

Tras - minimalny czas aktywności linii, czyli najkrótszy czas, po którym linia może otrzymać polecenie zamknięcia po jej otwarciu.

Czas w schemacie taktowania jest mierzony w cyklach zegara, więc rzeczywista wydajność pamięci zależy nie tylko od schematu taktowania, lecz także od częstotliwości zegara. Na przykład pamięć ze schematem 8-8-8-24 i częstotliwością zegara 1600 MHz będzie działać z taką samą szybkością jak pamięć ze schematem 4-4-4-12 i częstotliwością 800 MHz - w obu przypadkach schemat...timingów, wyrażany w nanosekundach, będzie wynosić 5-5-5-15.

Cechy dodatkowe

- Seria do przetaktowania (overclocking). Przynależność do podobnej serii oznacza, że producent początkowo wyposażył moduł w możliwość przetaktowania („overclocking”) – czyli zwiększenia wydajności poprzez zmianę parametrów pracy, w szczególności zwiększenie napięcia pracy i częstotliwości taktowania. Można też "podkręcać" zwykłą pamięć, która nie jest przeznaczona do przetaktowania - jest to trudne i obarczone awariami, w tym całkowitym przepalaniem obwodów. Natomiast w specjalistycznych seriach podkręcanie jest funkcją udokumentowaną, realizowaną w szybki i łatwy sposób, ponadto najczęściej objętą gwarancją.

- Obsługa XMP. Moduł pamięci kompatybilny z XMP. Ta technologia, opracowana przez firmę Intel, służy do przetaktowywania (patrz odpowiedni punkt). Jej kluczową zasadą jest to, że pewne profile przetaktowania są zapisywane w module pamięci - zestawy ustawień przetestowane pod kątem stabilności; i zamiast ręcznie ustawiać poszczególne parametry, wystarczy wybrać jeden z profili. Upraszcza to konfigurację systemu i jednocześnie zwiększa jego niezawodność podczas przetaktowywania. Należy jednak pamiętać, że aby korzystać z XMP, musi ono być wspierane nie tylko przez pamięć, lecz również przez płytę główną.

- Obsługa AMP. Zgodność modułu pamięci z technologią AMP. Pod względem głównych cech technologia ta jest całkowicie podobna do opisanej powyżej XMP...i różni się jedynie twórcą – w tym przypadku jest nim AMD.

- Obsługa EXPO. Zgodność modułu pamięci z technologią EXPO (Extended Profiles for Overclocking). Została stworzona w AMD przez specjalistę od przetaktowania kości DDR5 w ramach konfiguracji Ryzen 7000. W swej istocie jest to fabryczny zestaw profili, który ułatwia podkręcanie pamięci RAM. Zastosowanie technologii pozwala na zwiększenie wydajności w grach o około 11% przy rozdzielczości obrazu Full HD.

- Obsługa buforowania (Registered). Obecność tak zwanego modułu pamięci. Bufor to sekcja do szybkiego zapisywania odebranych danych - pomiędzy kontrolerem pamięci (urządzeniem sterującym) a samymi chipami (urządzeniem pamięci). Taka konstrukcja zmniejsza obciążenie kontrolera, co skutkuje wyższą niezawodnością; z drugiej strony buforowane moduły są nieco wolniejsze ze względu na opóźnienia w przesyłaniu informacji przez bufor. Pamięć buforowana jest używana głównie w systemach serwerowych i jest droga. Wybierając pamięć, należy pamiętać, że w jednym systemie może być używana tylko pamięć buforowana lub tylko niebuforowana; nie da się połączyć tych dwóch rodzajów pamięci.

- Obsługa ECK. ECC (Error Checking and Correction) to technologia, która pozwala korygować drobne błędy, które pojawiają się podczas pracy z danymi. Aby korzystać z ECC, konieczne jest, aby było ono obsługiwane nie tylko przez moduł pamięci, lecz także przez płytę główną; takie wsparcie jest używane głównie w serwerach, lecz można je również znaleźć w płytach głównych dla zwykłych komputerów stacjonarnych.
Dynamika cen
GOODRAM IRDM DDR4 2x8Gb często porównują
Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x8Gb często porównują